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CS-ACELP语音编码解码芯片的开发
CS-ACELP 语音编码 语音解码 专用集成电路
2009/3/5
一、项目特点与技术指标随着多媒体和通讯的发展，数字语音压缩编码技术的应用越来越广。由于对有限频带内所传送的信息量的需求不断增长，迫切要求语音编码算法不但要有较高的合成语音质量，而且要尽量可能降低编码速率。因此，先后出现了如PCM、ADPCM、CELP、LD-DELP、CS-ACELP、E-CELP、AMD、矢量量化VQ等多种算法。其中，CS-ACELP是国际电信联盟规定的8kbps语音编码标准即G...
基于0.13 μm工艺的低电压CMOS场效应管输出电导
半导体技术 集成电路 CMOS场效应管
2009/3/5
对采用0.13 μm工艺(p13) 低电压工作条件下的CMOS模拟集成电路设计中场效应管的模型参数输出电导gd进行了研究，给出了设计公式。根据所研究的结果设计了一个两级运算放大器电路并进行了仿真。仿真结果与设计结果吻合得很好，证明了设计公式的有效性。
CS-ACELP语音编码解码芯片的开发
CS-ACELP 语音编码 语音解码 专用集成电路
2009/3/4
项目特点与技术指标随着多媒体和通讯的发展，数字语音压缩编码技术的应用越来越广。由于对有限频带内所传送的信息量的需求不断增长，迫切要求语音编码算法不但要有较高的合成语音质量，而且要尽量可能降低编码速率。因此，先后出现了如PCM、ADPCM、CELP、LD-DELP、CS-ACELP、E-CELP、AMD、矢量量化VQ等多种算法。其中，CS-ACELP是国际电信联盟规定的8kbps语音编码标准即G.7...
VLSI/ULSI器件薄膜材料和器件工艺技术
集成电路 半导体材料 薄膜半导体材料
2009/3/3
经济效益分析：采用SOI材料制备的集成电路具有高速、低功耗、抗辐照、消除CMOS自锁效应、高可靠性等独特特点。另外，国外在军事和空间运用方面，用SPI技术对中国封锁，即使购到少量的SOI材料价格也十分昂贵，因此发展甸的SOI技术是十分迫切的。目前，国内某些单位主要研究注氧隔离(SIMOX)和硅片键合(BFSOI)等SOI技术，尚无单位研究注氧多化硅全隔离(FIPOS)SOI技术。该成查的研究采用多...
VLSI及VHSIC陶瓷外壳
集成电路 陶瓷外壳 大规模 陶瓷封装
2009/3/3
成果内容简介、关键技术、技术经济指标：1、成果内容简介：大规模集成电路高密度封装外壳自“七五”科技攻关首次开发了44-132管脚外壳产品之后，“八五”期间，该专题又开发了132-209管脚五种外壳产品，它们是：ICC132、LCC64、PGA144、PGA149、PGA209。这些外壳适用于封装大规模集成电路及超高速集成电路CM0S万门、ECL2500门、GaAs1000门及以下门数或相当规模的门...
IC及器件芯片生产线
生产线 器件芯片 半导体集成电路
2009/3/2
该工艺线是由进口仪器设备装备的半导体集成电路及器件芯片加工生产线。可从事双极电路、CMOS电路、功率器件及结型场效应器件的加工，月生产能力为4英寸片5000片。该生产线于1998年4月通过了ISO9002质量体系认证，生产过程采用SPC统计技术进行控制。双极电路加工生产：具有完整的双极电路加工生产的全部工艺：光刻、埋层扩散、外延、隔离、磷穿透、基区离子注入、发射区扩散、电子束蒸(或溅射)铝、表面钝...
低噪声混频管及集成(国内领先)：开展了GaAs(InGaAs)HEMT器件及其混合集成的研究。器件方面着重亚微米栅长的微细加工技术、金属剥离及其辅助技术-图像反转光刻技术的研究等。混频电路的设计采用一小信号分析方法，即变换矩阵法分析了混频器的变频特性，利用器件的S参数及电路优化设计程序设计了匹配电路。测试结果表明：在测试频率18GHz附近(中频1.5GHz)，混频增益-0.5dB-+0.5dB，单...
1.成果内容简介：(1)0.5微米基础工艺是0.8-1.2微米微细加工工艺技术研究的一部分成果。(2)该成果直接应用领域是超大规模集成电路。微细加工技术对光电子、微传感、微光学和微机械学等领域也有重要意义。研究成果涉及电子束曝光、X射线曝光等亚微米图形的形成方法和手段，磁增强反应离子刻蚀等图形转换技术和设备以及0.5微米器件结构和电路制作工艺。
0.8-1.2微米微细加工艺技术
集成电路 微细加工工艺
2009/2/25
工艺技术方面：成功开发了包括多晶硅发射区、浅结和薄基区、硅深槽刻蚀和隔离、E-B侧墙氧化物自对准、钴硅化物自对准接触及其引用线技术、双层金属布线、芯片背面溅射金属化技术等一整套当前国际上正在采用的先进亚微米多晶硅发射极双极工艺技术，该套工艺技术有多项创新，反映了当前世界双极工艺技术的特征，其中自对准钴硅化物结构成功地用于双极技术在国际上是首例。
1-1.5微米工艺技术及工艺工程技术
集成电路 微细加工工艺
2009/2/25
该成果标明了中国IC大生产技术已进入1.0微米CMOS年代，增强了发展中国民族微电子事业的信念，社会反响很好，社会效益显著。该成果具有3大特点：技术先进产品市场好；技术规范国际接轨好；技术全面整体配套好。因此，该项成果有着很好的推广应用前景，在提高新产品开发速度和效率方面，这条工艺制造线，在小规模生产方面已取得良好的经济效益。如上所述，由于该成果具有技术先进产品市场好、技术规范国际接轨好、技术全面...
成果内容简介、关键技术、技术经济指标：1.成果内容简介：该成果解决了2-3微米技术集成电路使用的，适应高速、高温高速健合机的C型、FA型键合金丝的大生产技术。主要研究成果是：通过研究微量添加元素对金丝性能的影响，找到了作用良好的微量添加元素，确定了性能良好的C型、FA型金丝的成分配方。完成了高纯金原料制造工艺的研究(5N金提纯工艺)，完成了金丝中微量元素及杂质的分析方法研究，并将该方法成功地应用在...
研究内容包括五部分：深亚微米MOS器件失效机理研究；超薄栅氧化层击穿机理及可靠性表征研究；深亚微米槽栅MOS器件特性研究；等离子体工艺引起的薄栅氧化层损伤；集成电路可靠性最优化设计技术研究；对深亚微米体硅MOS器件、SOI结构的MOS器件的热载流子退化问题进行了深入研究。首次提出了从y截面流函数求解获得了MOS器件中的沟道电流和衬底电流二维分布解析模型，建立了nMOSFET的电子和空穴栅电流的分布...
大规模集成电路中子和γ射线综合电离辐照效应研究
单片机系统芯片 中子 电离辐照效应
2009/2/20
研究了反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺大规模集成电路的电离辐照效应。通过对80C196KC20和PSD501B1两种不同芯片在该环境下开展综合辐照试验，发现总的静态电流增长不明显。对试验结果综合分析得出：在反应堆的综合辐照环境下，中子电离效应较弱，并且由于中子位移效应引起载流子迁移率降低和载流子浓度降低，使得总的静态电流下降，从而抵消中子和γ射线综合电离导致的静态电流增长。
基于流体动力学模型的2维砷化镓金属半导体场效应管数值模拟
金属半导体场效应管 砷化镓 2维半导体模拟
2009/2/20
介绍了用于描述工作在高频强电场条件下的亚微米半导体器件的流体动力学模型，并讨论了为求解流体动力学模型所采用的算子分裂方法和有限体积法。使用流体动力学模型，对亚微米GaAs金属半导体场效应管器件进行了2维数值模拟，得到了该器件的I-V曲线、电子密度分布和电子温度分布。数值模拟结果表明，器件栅极电压越负，肖特基结的耗尽层越厚，源漏电流越小；在耗尽层内电场最强处，电子温度达到4 000 K;在强电场下，...