搜索结果: 46-60 共查到“知识库 半导体材料”相关记录125条 . 查询时间(4.422 秒)
异质外延GaN薄膜中缺陷对表面形貌的影响
缺陷结构 表面形貌 生长机理
2009/9/7
通过对异质外延ＧａＮ薄膜中各类结构缺陷进行系统的研究，发现材料内部的各种体、面和线缺陷，包
括沉淀物、裂纹、反向边界、局部立方相、小角晶界和位错，都会对表面形貌产生影响，并具有对应的特征形貌。ＧａＮ
薄膜中缺陷与表面形貌的这种对应关系，可以通过ＭＯＣＶＤ生长机理和缺陷间相互作用机制加以解释，同时也提供
了一种简单而有效的研究与检测ＧａＮ材料内部缺陷的方法。
非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究
EL2 位错 AS沉淀
2009/9/1
测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘(SI)LEC GaAs中EL2浓度及其分布的变化,为了分析这一变化,还检测了位错和As沉淀的分布。在实验结果基础上,对EL2分布不均匀性的起源和热处理改善EL2分布均匀性的机理进行了讨论。
Ge+注入Si1-xGex/Si异质结的退火行为
离子注入 Si1-xGex/Si异质结 退火行为 X射线衍射
2009/8/31
在注入能量为100 keV时,将注入剂量为5.3×1016/cm2的Ge+注入(001)SIMOX硅膜中制备Si1-xGex/Si异质结;然后,对样品进行碘钨灯快速热退火,退火温度为700~1 050℃,退火时间为5~30 min。对样品的(004)和(113)面X射线衍射数据进行计算和分析,得出退火温度为1 000℃、退火时间为30 min为最佳退火条件。在此退火条件下,假设固相外延生长为赝晶生...
离子注入硅的碘钨灯快速热退火温度计算
离子注入 快速热退火 温度
2009/8/31
离子注入并通过快速热退火引发固相外延生长,退火温度及温度分布对固相外延生长的结晶速率及退火材料的性质有很大影响。利用等温模型,根据入射能流密度与辐射损失能流密度之间的平衡,得出了离子注入硅的碘钨灯快速热退火的退火温度与衬底温度以及碘钨灯功率的关系。研究结果表明:在300~1 070 K的衬底温度范围内,退火温度主要由碘钨灯功率决定,而衬底温度对其影响不大;发生固相外延生长的最大碘钨灯功率或液相熔融...
掺杂超晶格量子阱的沟道效应与沟道辐射
量子阱沟道辐射 正弦平方势 超晶格
2009/8/24
分析了超晶格量子阱的沟道效应和沟道辐射，利用正弦平方势描述了掺杂超晶格量子阱沟道粒子的运动行为，并在经典力学框架内，把粒子的运动方程化为摆方程。用Jacobian椭圆函数和椭圆积分解析地给出了系统的解和粒子运动周期，导出了量子阱沟道辐射的辐射强度和辐射能量。结果表明，对于能量为100 MeV左右的电子，辐射能量可达keV量级（X能区）。指出了用量子阱沟道辐射作为X激光或γ激光的可能性。
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非晶态As2S8半导体薄膜的光致结构变化效应研究
非晶态半导体 As2S8半导体薄膜 光折变效应
2009/8/14
实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致体积变化现象.采用棱镜耦合技术、Raman光谱和X线衍射测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度增高、折射率增大的现象.实验表明,淀积态As2S8薄膜经紫外光照后,折射率变化的最大增量可达到0.06,而退火态As2S8薄膜经紫外光照射后,其折射率最大变化比前者...
美国大学科学家发明半导体制作新工艺
半导体 制作新工艺
2009/8/4
美国北卡罗来纳大学与赖斯大学的科学家最近发明了一种新的半导体制作工艺，研究人员称这种发明能让Intel这样的芯片公司“突破摩尔定律的禁锢”，并造出更小更强的处理器。该项发明研究了一种新的硅半导体杂质掺杂方法，科学家们称之为“单分子层嫁接”。过去，半导体是通过向硅晶体内部掺杂杂质而制成的，但随着半导体工艺的发展，晶体管的尺寸也越来越小，这样就很容易出现不同器件之间掺杂度存在差异的情况，造成器件间的性...
半导体黄光区调度问题研究
半导体黄光区 粒子群算法 调度
2009/7/24
对半导体黄光区调度问题进行了研究，建立了半导体黄光区调度的数学模型，分别提出了用于求解该问题的启发式方法和粒子群算法方案，阐明了两种算法方案的具体实现过程。通过对仿真实例进行计算和结果比较，表明了粒子群算法优于启发式方法，取得了不错的优化效果。
PZT铁电薄膜材料的ECR等离子体刻蚀研究
等离子体刻蚀 锆钛酸铅 凝胶-溶胶工艺
2009/6/5
以SF6和SF6+Ar为刻蚀气体，采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶-凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除．研究了不同气体总流量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响，指出当气体混合比约为20%时，刻蚀速率达到最大值．锆钛酸铅铁电薄膜表面组份XPS能谱分析曲线表明，在SF6和SF6+Ar气体中，被刻蚀后样品的Pb含量大大减少，TiO2的刻蚀是限制锆钛酸铅铁电薄膜刻蚀速率的...
感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN/AlGaN
选择性刻蚀 选择比 刻蚀损伤
2009/5/27
采用Cl2/Ar作为刻蚀气体，研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响．GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小，随感应耦合等离子体功率的增大变化不大．在Cl2/Ar为3:1的刻蚀气体中加入10％的O2对GaN刻蚀速率影响不大，却使Al0.27Ga0.73N刻蚀速率明显下降，从而提高了GaN与Al0.27...
6H-SiC NMOS与PMOS温度特性分析
冻析效应 普尔-弗兰克效应 体漏电流
2009/5/27
考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应，对SiC MOSFET补偿电流源模型进行了修正，分析了造成6H-SiC NMOS与PMOS器件补偿电流源变化的原因．结果表明：界面态电荷的非均匀分布造成由阈值电压漂移引起的输出漏电流改变量随温度的升高逐渐减小；漏衬界面缺陷是造成体漏电流较大(达到微安量级)的主要因素，且缺陷密度越大，该值随温度增长的速度越快．
掺氮3C-SiC电子结构的第一性原理研究
3C-SiC 电子结构 第一性原理计算
2009/5/25
采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函，电子波函数采用平面波基矢展开，并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用，对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究．对不同掺氮浓度3C-SiC超晶胞的能带结构和态密度进行计算，结果表明氮原子的2p态和2s态分别占据价带顶和导带底，随着掺杂浓度的增加，导带底和价带顶的位置逐渐向低能端移动，导带底移动速度要大于价带顶，...