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搜索结果: 16-30 共查到知识库 半导体材料相关记录125条 . 查询时间(4.226 秒)
中国科学院半导体材料科学重点实验室主要研究内容:(1)低维半导体材料的生长及表征、光电特性预测、原理器件验证;(2)红外及THz量子级联材料与器件;(3)光子集成材料和器件;(4)宽禁带半导体材料与器件;(5)单晶衬底及特殊环境半导体材料。
Fabrication and analysis of Copper Indium Gallium di-Selenide (CIGS) nanoparticles-based thin film solar cells are presented and discussed. This work explores non-traditional fabrication processes, su...
A novel microstrip patch antenna topology is presented for achieving a dual-band response with arbitrarily closely spaced resonances. This topology is based on a coupled transmission line structure in...
A transmission-line metamaterial design of a material-embedded electric line source radiating inside a ground recess is investigated. The media embedding the recessed line source are designed such tha...
Reliable and scalable manufacturing of nanofabrics entails significant challenges. Scalable nano-manufacturing approaches that employ the use of lithographic masks in conjunction with nanofabrication ...
Nanoscale-computing fabrics based on novel materials such as semiconductor nanowires, carbon nanotubes, graphene, etc. have been proposed in recent years. These fabrics employ unconventional manufactu...
利用太阳光分解水制备氢气,从太阳照射能量中直接获得大功率的动力能源,被认为是人类能源的终极梦想.本文介绍了太阳光催化分解水制氢的原理,阐述了光解水对光催化材料的热力学和动力学要求.重点从新型光催化材料研发、共催化复合体系构筑、纳米形貌调控、器件化设计等4个方面综述了近年来国内外光解水制氢关键材料和技术的研究进展.结合实际应用,对制氢体系中牺牲剂应用、模拟自然光合作用、光解海水、光催化剂稳定性等方面...
通过改良的水热方法, 成功合成了形貌规则的半导体硫化银(Ag2S)纳米结构, 并对样品的形貌、化学成分和微观结构进行了详细的表征. 结果发现, 样品为表面光滑的球状结构. X-射线衍射仪/光电子谱仪(XRD/XPS)证明, 产物具有单斜结构且纯度很高. 通过紫外可见吸收光谱发现, 与传统粉体材料相比, 纳米球吸收峰有明显的蓝移(约20 nm). 运用表面光电压(surface photovolta...
基于石墨烯透明、软性、能带结构连续可调、电子迁移率高等一系列优点,着眼于石墨烯与其他半导体光电功能材料的复合,对石墨烯在有机和无机发光二极管、太阳能电池、纳米发电机等方面的应用和研究进展进行了介绍。
采用电子束蒸发法在玻璃衬底上制备MoO3薄膜。X射线衍射谱表明制备样品属于正交晶系,沿<010>晶向择优取向生长。随着衬底温度的升高,样品的晶粒尺寸先增大后减小,退火后又增大。此外,样品的(040)衍射峰随衬底温度升高单调向低衍射角方向移动。扫描电镜照片显示制备样品具有针状晶粒特征,退火后晶粒大小的分布趋于均匀。紫外–可见透过谱测试发现,随衬底温度的升高,一方面样品的光吸收边向长波方向移动,透过率...
在室温下制备了基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体的薄膜晶体管,氧化物沟道层中In、Zn、Ti的摩尔比为49 ∶ 49 ∶ 2。所制备的器件场致迁移率达到9.8 cm2/V·s,开关比大于105,亚阈值摆幅0.61 V/dec。和未掺Ti器件的比较表明,掺Ti能使器件阈值正向变化,对场致迁移率也有提高作用。
自发极化和压电极化是氮化镓制作光电器件没有解决的问题,对非极性GaN材料的研究解决了极化现象.采用低温AlN作为缓冲层,在(11-02)r面蓝宝石和(0001)c面蓝宝石上分别生长了(112-0)非极性a面和(0001)极性c面GaN,用原子力显微镜和高分辨X射线衍射、光致发光谱比较了生长在r面蓝宝石上的a面GaN和c面蓝宝石上的c面GaN,a面GaN材料质量和c面GaN相差较大,在a面GaN上发...
氮化铝功能陶瓷     氮化铝  制备  应用       2009/11/17
高性能氮化铝材料具有优良的导热性能和电绝缘性能,接近于硅的热膨胀系数,低介电常数,耐腐蚀性和高温下的化学稳定性,被广泛应用于大规模集成电路基板及封装材料等。
以四氯化钛和乙酰丙酮锌为原料,采用气相火焰燃烧合成锌掺杂TiO2纳米晶,利用XRD, XPS和ICP-AES研究了纳米晶结构,考察了锌掺杂TiO2纳米晶在紫外光辐照下催化降解罗丹明B(Rhodamine B)的活性,探讨了光催化机理. 研究结果表明,掺杂相锌主要分布在TiO2表相,并形成均匀分散的ZnO团簇;燃烧过程中锌掺杂对纳米TiO2的晶相组成及晶粒尺寸影响不大. 当掺杂量为0.21%(mol...
以巯基乙酸(HSCH2COOH, RSH)为表面修饰剂,采用水相合成法制备了表面修饰巯基乙酸的ZnS纳米颗粒. 采用透射电子显微镜、粒度分布、X射线衍射和红外光谱等对ZnS纳米颗粒进行了表征,并对ZnS纳米粒子的制备条件进行了详细的考察. 结果表明,水相合成法的最佳制备条件为:反应pH值8.0, Zn2+:S2-:RSH(摩尔浓度比)为1:1.34:2. 在最佳条件下可制备粒径小(11 nm)且粒...

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