搜索结果: 61-75 共查到“知识库 半导体物理学”相关记录145条 . 查询时间(3.234 秒)
高温超导体GdBa2Cu3O7－δ的穆斯堡尔研究
穆斯堡尔研究 GdBa2Cu3O7－δ 高温超导体
2009/7/29
本文对掺0.5%Fe的高温超导氧化物GdBa2Cu3O7－δ进行了大温度范围(1.4K－700K)的穆斯堡尔研究,分析了Fe的价态与环境.Fe在氧化物中存在四亚晶位(Fe(A)、Fe(B)、Fe(C)、Fe(D)),其中Fe(A)、Fe(B)和Fe(C)占据氧化物中Cu(1)的位置,只是氧配位不同;Fe(D)独占Cu(2)位置.Fe在亚晶位B和D上分别为高自旋4+和3+.在磁场的作用下,氧化物呈现...
具有统计增强效应的(CF2)n-PIN夹层探测阵列
统计增强 (CF2)n-PIN夹层 半导体探测器
2009/7/27
采用灵敏区尺寸为φ60mm, 厚度1000μm的大面积电流型厚PIN半导体探测器+聚四氟乙烯片+PA101低噪声放大器, 构建了灵敏度为10－11C.cm2,具有显著统计增强效应的夹层高灵敏PIN探测阵列. 采用Monte-Carlo数值模拟方法, 研究了该探测阵列的统计增强效应和对γ射线探测灵敏度. 该阵列在极低强度脉冲γ射线探测中具有明显的统计增强效应, 且能量响应平坦, 单个阵列探测范围可...
强耦合杨-米尔斯理论中的对偶超导真空
杨-米尔斯理论 对偶超导 黑洞 对偶迈斯纳效应
2009/5/21
基于联络分解变量的紫外/红外分离, 提出杨-米尔斯理论真空的强耦合极限表现为一个经典场论意义下色空间的黑洞. 基于此想法, 证明在强耦合杨-米尔斯理论中存在对偶超导体解. 在量子水平下, 强耦合理论的非微扰真空可由磁荷的多粒子体系构成, 而理论的经典平均给出对偶阿贝尔-黑格斯模型. 该模型预言了与最近的格点模拟相一致的结果: 理论真空位于第一类与第二类超导体边界. 进一步通过求解对偶阿贝尔-黑格斯...
NPB/Alq3有机量子阱光电特性研究
有机量子阱 电致发光 光致发光
2009/5/8
利用热蒸发的方法制备了有机量子阱发光器件和Alq3单层发光器件，其中NPB(N,N′-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N′-diphenyl]-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine)作垒层，Alq3 (Tris-(8-quinolinolato)aluminum)作阱层，量子阱结构类似于无机半导体的Ⅱ型量子阱结构。实验发现有机量子阱发光器件结构中存在垒层向阱层的F...
光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充
光致发光谱 量子点 双模分布 态填充
2009/5/6
采用固态源分子束外延技术在GaAs(100)衬底上，制备了InAs量子点，对样品进行原子力显微镜测试，统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明，在室温和77 K下，小量子点的发光峰均占主导地位，原因可能是：(1)大量子点的态密度小于小量子点；(2)捕获载流子速率，大量子点小于小量子点；(3)大量子点与盖层存在较大的应变势垒和可能出现的位错和缺陷，导致温度变化引起载流子从小尺寸量子点转移...
激发波长对多孔硅荧光特性的影响
多孔硅 分形结构 量子尺寸效应
2009/4/30
用荧光光谱仪测量了多孔硅样品的任一给定点的荧光特性与激发波长的依赖关系, 发现当激发波长从650 nm变到340 nm时，该点的荧光谱峰位从780 nm连续蓝移到490 nm。用扫描电子显微镜(SEM)对多孔硅的截面进行了分析，结果显示多孔硅具有分形特性，这同作者的计算机模拟结果一致。结合多孔硅样品的激发光谱测量结果，多孔硅的荧光特性随激发波长改变的现象可以归因于多孔硅的分形结构以及量子尺寸效应。...
Potential Performance of SiC and GaN Based Metal Semiconductor Field Effect Transistors
Ballistic transport frequency response Steady-state Drain current
2010/7/5
A Monte Carlo simulation has been used to model steady-state electron transport in SiC and GaN field effect transistor. The simulated device geometries and doping are matched to the nominal parameters...
SiC晶体缺陷的阴极荧光无损表征研究
阴极荧光 4H-SiC 无损表征 位错及堆垛层错
2010/5/4
由于在研究SiC晶体缺陷对器件性能的影响的过程中，表征材料缺陷的常用的方法是破坏性的，因此寻找一种无损的测试方法对缺陷进行有效的表征显得尤为重要。基于阴极荧光(CL)的工作原理对4H-SiC同质外延材料的晶体缺陷进行了无损测试研究。结果发现利用阴极荧光可以观测到晶体内部的堆垛层错、刃位错和螺位错以及基面位错，其阴极荧光图中的形貌分别为直角三角形、点状和短棒状。因此该方法成为SiC晶体缺陷的无损表征...
硅包覆上转换纳米晶制备和表征及生物特异性标记研究
上转换 硅包覆 生物偶联 免疫荧光成像
2010/3/23
以NaYF4为代表的上转换纳米晶作为细胞及组织标记的研究越来越热。但易团聚，水溶性、生物兼容性差，没有与生物偶联官能团等缺点限制了其应用，因而表面修饰显得尤为重要。作者通过水热和共沉淀相结合方法，制备了NaYF4∶Yb3+, Er3+上转换纳米晶，并对其包覆二氧化硅壳层。SEM表征硅包覆前后分别为25和250 nm的单分散粒子，说明硅已成功地包覆于纳米晶表面。980 nm激光照射下，样品的PBS胶...
自截止腐蚀制备Si平面薄膜中的B杂质分析
B杂质分析 Si平面薄膜
2008/12/17
以重掺杂自截止腐蚀工艺制备的厚度为 3～ 4μm的自支撑Si平面薄膜已在X光激光和惯性约束聚变分解实验中得到应用。制备过程中 ,重掺杂B杂质的引入会对获得的Si平面薄膜的应用带来影响。本工作研究采用次级离子质谱 (SIMS)测量Si平面薄膜中B杂质的浓度分布 ,结合在软X光波段下同步辐射直接测得的Si薄膜的透过率结果 ,分析B等杂质对Si平面薄膜性能的影响
利用强度调制光电流谱研究TiO2薄膜中染料不均匀分布现象
强度调制光电流谱 染料敏化 太阳电池 染料吸附
2008/6/25
利用强度调制光电流谱(IMPS)研究了不同微结构的TiO2薄膜在不同的浸泡时间条件下的染料分布情况, 分析了染料分布对染料敏化太阳电池光伏性能的影响. 研究结果表明, TiO2薄膜中确实存在染料的不均匀分布现象, 染料不均匀分布对太阳电池的光伏性能有显著的影响.
A study has been made on the behavior of Al/p-CdTe thin film junction grown by thermal evaporation method. I-V characteristics show that the Al makes Schottky contact with p-CdTe. The variation of jun...
Characterization of Cd1−xFexS diluted magnetic semiconductors grown at near phase conversion temperature
A. Cd1− xFexS D. Phase conversion D. Van Vleck-type paramagnetism
2011/12/8
Fe-based cadmium sulfide alloy thin films have been grown on c-plane sapphire substrates by a low-pressure metalorganic chemical vapor deposition technique at different growth temperatures. From X-ray...