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搜索结果: 136-150 共查到人物 半导体器件与技术相关记录177条 . 查询时间(3.813 秒)
韩勤,中国科学院半导体研究所博士,研究员,博士生导师。长期从事半导体光电子材料及器件物理、应用研究,先后主持和参与了多项“863”、“973”自然科学基金和军工课题研究,发表论文60余篇,担任IEEE J.Lightwave Tech.、IEEE Electron Device Letter、Optics and Laser Tech.、Chin. Phys. Letter、物理学报、光学学报、光...
孙国胜,中国科学院半导体研究所博士,研究员,博士生导师。从事过非晶硅半导体材料与器件技术和半导体致冷技术的研究与开发工作,曾获得中国科学院科学技术成果奖(非晶硅中的亚稳缺陷及界面问题研究)、陕西省教育委员会科学技术进步奖(非晶碳化硅的电致发光特性及大面积发光二极管)和中国科学院留学回国择优支持项目的资助。目前主要从事高温、大功率碳化硅(SiC)宽带隙半导体外延材料工程与器件技术研究工作。获得国家发...
谢亮,中国科学院半导体研究所博士,研究员,博士导师。现任中科院半导体所研究员。目前的研究方向是光电子器件及其应用,主要从事高速光电子器件的设计封装以及高速光模块的关键技术研究。近年来开展了光电子器件及芯片的建模研究,获得提取光电子芯片本征特性参数的一系列新技术,为芯片的优化设计提供重要帮助,提出了光电子器件封装的优化设计新方案。在器件研制方面,进行激光器、探测器、调制器的封装、测试研究;在应用方面...
鲁华祥,中国科学院半导体研究所博士,研究员,博士生导师。是中国人工智能学会“神经网络与计算智能”专业委员会主任,目前主要从事半导体神经网络技术及其应用研究。获北京市科学技术进步一等奖、“中国科学院盈科优秀青年学者奖”、国家发明三等奖、“国家‘八五’科技攻关重大科技成果”奖、“95’电子十大科技成果” 奖。发表学术论文30余篇,合作出版专著1本,获授权发明专利8项。
刘育梁,中国科学院半导体研究所研究员,博士生导师。现为中国科学院半导体研究所光电系统实验室主任、中国科学院研究生院教授、《科学通报》编委、《电子器件》编委会副主任。还曾任上海交通大学、长春理工大学和太原科技大学兼职教授、福建省信息产业专家委员会委员。主持完成十多项国家"863"高技术项目、国家自然科学基金重点项目、国家"973"重点基础研究发展项目以及中国科学院知识创新工程重大项目等。在光纤传感方...
杨富华,中国科学院半导体研究所二级研究员,博士生导师。2010年起任南开大学兼职教授。2003年到现在任中国科学院半导体研究所半导体集成技术研究中心主任同时兼任超晶格国家重点实验室副主任。全国纳米技术学会分会常务理事,全国微纳米技术学会理事,中国仪器仪表学会微纳器件与系统技术分会理事。作为主要骨干获1994年科学院自然科学一等奖“半导体量子输运”。现主要从事微纳光、电、微机械器件及其集成研究,发表...
黄永箴,中国科学院半导体研究所研究员,博士生导师。中科院半导体所光电子研发中心主任,集成光电子学国家重点联合实验室学术委员会主任,中科院半导体所学术委员会副主任。获得2002年国家杰出青年科学基金,重点研究光学微腔的模式特性并研制微腔激光器。获得2005 年中科院优秀研究生指导教师奖,2006 年中科院研究生院优秀教师,2007 年中科院优秀研究生指导教师奖,和2008 年中科院宝洁优秀研究生导师...
郑婉华,中国科学院半导体研究所博士,研究员,博士生导师。现任中科院半导体所学术委员会和学位委员会委员,纳米光电子实验室副主任。曾先后在澳大利亚新南威尔士大学光电子实验室、日本横滨大学光电子实验室实验室、美国麻省理工大学光子学实验室、香港浸会大学材料中心等进行纳米材料、光子晶体材料与器件的研究。郑婉华博士长期从事半导体光电子材料与器件的研究,首次在国际上采用硅基光子晶体宽带隙材料,作为项目负责人和主...
王国宏,中国科学院半导体研究所,博士、研究员、博士生导师、中科院半导体所所长助理、中国科学院半导体照明研发中心副主任、 半导体照明课题组组长。主要从事半导体发光管二极管、激光器、探测器等光电子器件材料的MOCVD生长、工艺开发及工程化研究,主持国家级研究课题5项。发表相关论文20余篇,申请受理专利5项,获授权发明专利2项。
祝宁华,中国科学院半导体研究所博士,研究员,博士生导师。入选首批新世纪百千万人才工程国家级人才。主要从事微波光子学、微波集成电路及高速光子集成器件与系统研究。1998年回国后主持承担了26项国家级研究项目,其中包括"百人计划"项目,国家杰出青年基金,"863"重大,"973"课题,基金委重大国际合作,基金委重点,国家基金委创新群体项目,国家基金委重大项目和863主题项目等。发表155篇SCI/EI...
陈良惠,中国工程院院士。在国内率先实现量子阱激光器的突破,并开拓不同波长,不同功率,不同应用目标的量子阱激光器的研制、开发与工程化。在国内外发表文章100多篇。完成中科院重大项目,国家攻关、863,获国家科技进步奖和中国科学院科技进步奖多项。他主持筹建光电子器件国家工程研究中心,通过国家验收成为光电子器件的研究开发和工程化产业化基地。他曾任半导体研究所副所长,863计划光电子主题专家组副组长。目前...
王圩,中科院院士,研究员,博士生导师。近期主要从事InP基半导体光电子集成器件的研究。近十年来在应变量子阱激光器、电吸收调制器及其集成以及半导体光放大器等方面取得的主要成绩:实现了新型反相位增益耦合量子阱DFB激光器、采用SAG技术,研制成功2.5Gb/s EA-MD/DFB-LD 单片集成模块,并成功地在400公里标准光纤上进行了2.5Gb/s码率的传输、采用应变渐变结构研制成功偏振不灵敏的宽带...
郑厚植,中国科学院半导体研究所院士,研究员,博士生导师。目前主要研究方向包括:低维量子结构物理和纳米量子器件、半导体自旋电子学和自旋量子器件、半导体中的量子相干过程、波函数工程和量子相干器件。最早报道了量子霍耳效应的尺寸效应;他与英国学者同时独立地在国际上最早提出了分裂栅控技术,并用它实现了具有高迁移率的一维异质结量子线;首次报道了局域化由二维至一维的维度变换行为;首次从实验上证实了相位损失时间与...
王启明,中国科学院半导体研究所研究员,博士生导师,中科院院士。1985~1995曾任中科院半导体研究所所长,先后多次获国家级和院级科技进步一、二等奖。1986年始曾连续三次被评授予国家级有突出贡献中青年专家称号,1999年荣获何梁何利基金“科学与技术进步奖”,2001年被中国光学学会、电子学会和通信学会联合提名获我国光通信与集成光学杰出贡献奖。培养了50多名硕士和博士研究生。现兼职中国光学学会常务...
王守觉,中国科学院院士,半导体器件物理学家。我国半导体事业奠基人之一,1980年当选中国科学院院士。1956年参加研制了我国第一支锗晶体管。1958年负责研制成我国第一支数百兆赫的锗高频扩散晶体管,并筹建109厂为"两弹一星"计算需要的109乙机和109丙机提供了器件。获国家科委一等奖与国家发明奖。1971年研制成我国首台积木式图形发生器,并提出了IC CAD布线新算法--总体损益分析法,该自动制...

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