搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 半导体技术”相关记录1280条 . 查询时间(2.312 秒)
近日，我院特任研究员胡芹课题组在无铅钙钛矿结晶调控与缺陷机理分析研究中取得新进展。针对无铅锡基钙钛矿半导体中易被氧化、快速结晶、稳定性差等问题，该课题组设计了一种减缓钙钛矿结晶的分子桥接优化策略，有效提升了薄膜结晶质量，抑制了光生载流子的非辐射复合，并利用基于同步辐射X射线的原位散射技术监测了锡基钙钛矿的结晶过程，阐述了结晶动力学机理。该工作为深入了解无铅锡基钙钛矿结晶动力学和锡基钙钛矿半导体器件...
近日，我院石媛媛教授团队与合肥综合性国家科学中心人工智能研究院何立新教授团队合作，通过在模拟型阻变随机存储器（RRAM）的阻变层中加入单层（ML）MoS2来控制导电细丝（conductive filament,CF）的形成，极大提升了模拟型RRAM的均一性、线性和对称性，相关成果以“Uniformity,Linearity,and Symmetry Enhancement in TiOx/MoS2...
中国科学院半导体所可重构异质结光电晶体管的三维信息感知系统研制取得新进展（图）
半导体 晶体 三维信息 系统
2025/1/14
2025年来三维信息感知在机器视觉、深空成像以及医疗诊断方面具备广泛的应用前景，包含物体深度信息的三维信息感知能够更加全面地感知物体的形态与光学特征。然而三维感知系统通常需要额外集成主动式光源或者被动式多目相机，通过记录光子飞行时间或者通过结构光衍射、相位分布以及多角度反射，实现深度维度的感知与重构，这将导致成像系统面临集成复杂以及高成本制备等挑战，制约了三维成像系统的微型集成化发展。
中国科学院微电子所在超宽带低噪声集成电路设计领域取得新进展（图）
电子 集成电路 智能
2025/1/14
2025年1月13日，微电子所智能感知芯片与系统研发中心乔树山团队在超宽带低噪声单片集成电路研究方面取得重要进展。微弱信号处理链路对噪声极为敏感，低噪声放大器作为信号链路的关键元器件，决定了微弱信号的检测灵敏度。传统的低噪声芯片受晶体管的增益滚降、噪声和带宽相互制约的影响，导致各类系统的灵敏度和带宽无法满足信号多样性要求。同时，当电路长期工作在低温环境时，放大器的不稳定性加剧，导致系统可靠性降低。
中国科学院宁波材料所在超宽禁带半导体材料与器件研究方面取得进展（图）
半导体材料 器件 界面
2025/1/16
以氧化镓（Ga2O3）和金刚石（Diamond）为代表的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电场高、巴利加优值高、抗辐射能力强等优异性能，可以更好地满足功率电子器件在高功率、高温、高频以及高辐射等极端工况的使用需求，应用前景广阔。p型半导体和n型半导体相结合的双极型器件，具有良好的电流和电压承载能力，是功率电子器件发展的重要方向。然而，超宽禁带半导体面临双极型掺杂难的问题，比如氧化镓难以实现p...
中国科学院单个激光腔中实现高性能单模激光输出
激光 高性能 集成电路
2024/12/20
2024年12月18日，中国科学院上海光学精密机械研究所研究员张龙与董红星团队，联合湖南大学和南京航空航天大学的研究人员，在激光模式调控技术研究方面取得进展。该团队通过选择性模式结构破缺这一创新方法，在单个激光腔中实现了高性能单模激光输出。相关研究成果以Single-Mode Lasing by Selective Mode Structure Breaking为题，发表在《先进功能材料》（Adv...
中国科学院科研人员发展出新型聚合物半导体交联剂（图）
聚合物 半导体 集成电路
2024/12/8
高迁移率聚合物半导体的设计合成已取得进展，但将聚合物半导体的可溶液加工、本征柔性这些独特性质应用于集成电路面临困难。在集成电路中，对聚合物半导体进行图案化加工，可以降低漏电流，避免相邻器件间的串扰，降低电路整体功耗。目前，可控光化学交联技术是与现有微电子工业光刻工艺相兼容的图案化方式。特别是，发展高效的化学交联剂至关重要。
中国科学院化学研究所张德清课题组在聚合物半导体的光刻图案化方面取得新进展（图）
张德清 聚合物 半导体
2024/12/4
高迁移率聚合物半导体的设计合成已经取得很大进展，但将聚合物半导体的可溶液加工、本征柔性这些独特性质应用在集成电路里仍面临很多困难。在集成电路中，对聚合物半导体进行图案化加工可以降低漏电流，避免相邻器件间的串扰，降低电路整体功耗。可控光化学交联技术是一种与现有微电子工业光刻工艺相兼容的图案化方式，其中发展高效的化学交联剂至关重要。目前，简单高效的交联剂种类有限，交联体系的迁移率、灵敏度、对比度、集成...
国家自然科学基金委员会武大何军课题组在后摩尔时代先进技术节点器件研究方面取得进展（图）
何军 器件 集成电路
2024/12/3
2024年11月19日，《自然·材料》（Nature Materials）在线发表了武汉大学物理科学与技术学院何军教授课题组在后摩尔时代先进技术节点器件高κ单晶栅介质方面的最新进展，文章题目为“High-κmonocrystalline dielectrics for low-power two-dimensional electronics”。武汉大学物理科学与技术学院尹蕾研究员、程瑞清副教授和...
中国科学院微电子所28nm 嵌入式RRAM IP赋能先进显示芯片在京量产
电子 半导体 集成电路
2024/11/7
当前，Flash遇到制程微缩瓶颈，大规模量产停滞在40nm。微电子所刘明院士团队推出创新突破性的28nm嵌入式RRAM IP，成功应用于全球首款28nm先进显示芯片并实现量产。
2024年11月6日，北京经济技术开发区（北京亦庄）显示高技术企业宣布全球首款应用28nm RRAM IP 的28nm先进工艺SoC高端显示芯片在京完成量产，并成功应用于国内头部客户的Mini LED（次毫米发光二极管）...
中国科学院合肥物质科学研究院SHMFF用户在高迁移率二维半导体中观测到分数量子霍尔效应（图）
二维半导体 观测 量子
2024/11/11
2024年11月4日，稳态强磁场实验装置（SHMFF）用户辽宁材料实验室和山西大学等合作者利用SHMFF所属水冷磁体WM5，在二硫化钼的n型半导体场效应晶体管低温欧姆接触稳定可靠制备方面取得了新进展，该成果在线发表于Nature Electronics。
近日，我院左成杰教授课题组一篇射频集成电路（RFIC）设计论文入选2024年第九届集成电路与微系统国际会议（The 9th International Conference on Integrated Circuits and Microsystems,ICICM）。ICICM 2024于10月25日至27日在湖北武汉举办。该研究成果获得了ICICM 2024的最佳论文奖以及最佳报告奖。
中国科学院半导体所提出免于退极化效应的光学声子软化新理论（图）
半导体 光学 声子 理论
2024/11/7
通过晶体管持续小型化提升集成度的摩尔定律已接近物理极限，主要瓶颈是晶体管功耗难以等比例降低。进一步降低功耗有两个主要途径：其一是寻找拥有比HfO2 更高介电常数和更大带隙的新型高k氧化物介电材料，确保不降低栅控能力的前提下增厚栅介电层，遏制量子隧穿效应引起的栅极漏电流；另一个是采用铁电/电介质栅堆叠的负电容晶体管（NCFET），突破传统晶体管室温60 mV/dec的亚阈值摆幅限制，进而...
