搜索结果: 16-30 共查到“知识要闻 半导体技术”相关记录1080条 . 查询时间(3.999 秒)
中国科学院金属研究所外延应变调控铁电极化实现巨大隧穿电致电阻效应(图)
铁电极化 半导体 界面
2024/3/18
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构,它利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应来获得不同电阻态,从而实现数据存储功能。由于其中铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构,铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点,2024年来在信息存储领域受到广泛关注。隧穿电致电阻 (或开关比) 是衡量隧道结性能的核心指标。2005年理论模型指出,隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强...
中国科学院化学所在多功能集成聚合物半导体的分子设计方面取得进展(图)
集成聚合物 半导体 分子设计
2024/2/25
随着材料科学和器件技术的发展,可拉伸元件和柔性显示器因在下一代可穿戴和可植入式电子器件中的潜在应用而备受关注。具有单体结构可调、区域分子协同、本征柔性等特点的聚合物半导体材料,发挥着重要作用,并逐渐成为实现多功能应用的重要元件之一。特别是,具有独特的光学、电学、机械和化学特性的多功能集成聚合物半导体的分子设计与开发,对先进和新兴制造技术颇为重要。而通过多级制造实现多功能应用是有机半导体领域的重要挑...
有机发光晶体管(OLETs)是一种兼具有机场效应晶体管(OFETs)和有机发光二极管(OLEDs)功能的小型化光电集成器件,独特的电压驱动模式使其具有与现有制备工艺兼容、集成更容易等优势,被认为是实现下一代新型显示技术的重要器件基元。此外,OLET特有的栅压调控功能为实现高效的电子空穴传输及复合提供了新途径,使其在数据通信、照明、智能全彩显示技术以及高密度柔性可视化传感器等方面显示出应用潜力。
中国科学院化学研究所刘云圻课题组在多功能集成聚合物半导体的分子设计方面取得新进展(图)
刘云圻 集成 聚合物半导体 分子
2024/3/17
随着材料科学和器件技术的快速发展,可拉伸元件和柔性显示器因其在下一代可穿戴和可植入式电子器件中的潜在应用而引起了广泛的关注。具有单体结构可调、区域分子协同、本征柔性等特点的聚合物半导体材料在其中起着至关重要的作用,逐渐成为实现多功能应用的重要元件之一。特别是,具有独特的光学、电学、机械和化学特性的多功能集成聚合物半导体的分子设计与开发,对先进和新兴制造技术至关重要。然而,通过多级制造实现多功能应用...
中国科学院宁波材料所等在sp2碳共轭有机框架材料构筑方面获进展(图)
有机框架材料 半导体材料
2024/1/26
二维共价有机框架(2D COFs)聚合物作为新一代有机半导体材料,具有可调的光电性质、开放的纳米孔道和丰富的活性位点,在光电催化、能源转换和有机电子等领域展现出应用前景。特别是碳碳双键连接的共价有机框架聚合物(sp2c-COFs)凭借拓展的π共轭、优异的稳定性和高载流子迁移率等特性,成为COFs领域研究前沿方向。然而,有限的成键化学、较高的反应势垒和较差的可逆性,导致sp2c-COFs合成困难并限...
宁波材料所在sp2碳共轭有机框架聚合物新材料设计制备方面取得重要进展(图)
有机框架 聚合物 半导体材料
2024/1/16
二维共价有机框架(2D COFs)聚合物作为新一代有机半导体材料,具有可调的光电性质、开放的纳米孔道和丰富的活性位点,在光电催化、能源转换和有机电子等领域展现出广阔的应用前景。特别是碳碳双键连接的共价有机框架聚合物(sp2c-COFs)凭借其拓展的π共轭、优异的稳定性和高载流子迁移率等特性,成为COFs领域研究前沿方向。然而,有限的成键化学、较高的反应势垒和较差的可逆性导致sp2c-COFs合成困...
中国科学院半导体所在2D/3D双模视觉处理芯片研制取得新进展(图)
芯片 工业机器人 电路
2024/2/28
二维(2D)和三维(3D)双模视觉信息在自动驾驶、工业机器人、人机交互等前沿领域具有广泛的应用前景。但是2D和3D两种模式视觉信息在处理方法上存在较大的差异,使得边缘端计算型处理器难以兼顾两种模式的处理需求;同时以深度学习为代表的人工智能算法的计算密集和高数据复用率等特点进一步增加了处理器电路的设计复杂度,导致边缘端实现双模视觉信息智能处理的芯片设计面临大的挑战。
苏州纳米所梁伟团队在可连续调谐的窄线宽外腔半导体激光器领域取得进展(图)
梁伟 半导体激光器
2024/1/17
可宽带快速连续扫频的小尺寸窄线宽外腔半导体激光器是光纤传感、调频连续波激光雷达、量子技术等领域的核心器件。传统连续扫频光源如Littrow结构外腔半导体激光器,体积较大,可靠性差。
中国科学院微电子所在氮化镓器件可靠性及热管理研究方面取得重要进展(图)
氮化镓器件 氮化物 半导体
2024/2/29
2023年12月11日,微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队在氮化镓电子器件可靠性及热管理方面取得突破,六项研究成果入选第14届氮化物半导体国际会议ICNS-14(The 14th International Conference on Nitride Semiconductors)。