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1985年,我国国防科技界、教育界的著名专家,我国可靠性系统工程事业的奠基人和开拓者杨为民教授顺应国家战略重大需求,组建了北航工程系统工程系和可靠性工程研究所。历经30年发展沉淀,学院形成了“献身国防,无私奉献的崇高境界;高屋建瓴,开拓创新的学术风范;淡泊名利,廉洁自律的高尚情怀;以人为本,集体发展的团队精神”的为民精神,秉承“开拓创新、敢为人先,需求牵引、专业推动,学科龙头、科教统筹,团队优势、...
碳化硅SiC(silicon carbide)具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同...
2023年12月11日,微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队在氮化镓电子器件可靠性及热管理方面取得突破,六项研究成果入选第14届氮化物半导体国际会议ICNS-14(The 14th International Conference on Nitride Semiconductors)。 
本实用新型涉及一种柔性电子基板上薄膜材料可靠性原位评价系统。该原位 评价系统的基座内侧相对设置有平动滑块、固定块,固定块与基座固定连接,平 动滑块与基座呈滑动连接,简支梁可动端安装于平动滑块上,简支梁固定端安装 于与平动滑块相对的固定块上,与平动滑块相连的简支梁可动端和与固定块相连 的简支梁固定端相对应,简支梁可动端和简支梁固定端之间安装试样,试样的一 端放置在与基座相连的简支梁固定端,试样的另一...
本发明涉及对薄膜材料弯曲断裂性能测试装置和测试方法的建立,具体为一种柔性电子基板上具有微米至纳米厚度的单层或多层薄膜材料力学可靠性的原位评价系统及方法。该系统包括高精度螺旋测微器、平衡弹簧、平动滑块及简支梁固定端和简支梁可动端等,通过螺旋测微器向薄膜与柔性基体组成的复合梁施加精确可控的步进位移来实施简支梁弯曲实验,根据简支梁跨距和试样尺寸等参数及几何关系计算出与简支梁跨距对应的实时施加应变,结合原...
疲劳失效是工程构件长期可靠服役所面临的重要问题。为了评价工程构件及各种材料的疲劳可靠性,人们往往依据ASTM、GB等现行测试标准、采用足够数量的疲劳试样进行大量长时疲劳测试,以获得材料的应力幅-寿命曲线和疲劳极限,这种既耗时又耗材的疲劳测试方法在工业界和实验室已使用了近百年。随着航空航天、信息、能源、生物医用及人工智能等高科技领域的飞速发展,低成本、高效快速地评价工程材料与构件疲劳性能和预测在役构...
中国科学院金属研究所专利:柔性电子基板上薄膜材料可靠性原位测试系统及方法
本发明涉及对低维导电材料的疲劳性能测试系统和测试方法的建立,具体为一种低维导电材料的弯曲疲劳可靠性的测试系统和测试方法,解决现有技术中存在的对导电薄膜材料疲劳寿命测量误差大、无法准确测量裂纹的萌生寿命等问题。该测试系统由电磁驱动部分、疲劳加载与测量部分以及检测与记录部分组成,该系统提供了对各种材料进行动态弯曲疲劳性能测试的功能和测试方法,同时可以对被测试样电阻变化进行实时监测与分析记录。通过记录下...
本实用新型涉及对低维导电材料的疲劳性能测试系统的建立,具体为一种低维导电材料的弯曲疲劳可靠性的测试系统,解决现有技术中存在的对导电薄膜材料疲劳寿命测量误差大、无法准确测量裂纹的萌生寿命等问题。该测试系统由电磁驱动部分、疲劳加载与测量部分以及检测与记录部分组成,电磁驱动部分包括数字函数发生器、功率放大器、电磁转换器;疲劳加载与测量部分包括楔形槽震动杆、被测导电试样、试样夹具、螺旋测微器和测微器探头;...
可靠性氮化镓基半导体发光二极管材料技术。
可靠性氮化镓基半导体发光二极管材料技术及应用。
中国科学院金属研究所专利:一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法
中国科学院微电子研究所专利:一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法
2023年6月28日~30日,2023年度仪器仪表行业第二期培训班--“电路板和电子模块的可靠性及可制造性设计(DFM)”在无锡市厚德仪表技术研究院有限公司圆满举办。31家会员企业的50名学员参加了此次培训。中国仪器仪表行业协会(以下简称协会)秘书长李跃光、无锡厚德自动化仪表有限公司董事长徐志强在开班仪式上分别致辞,协会副秘书长程红主持了开班仪式并全程参加了本次培训。
硅基氮化镓横向功率器件因其低比导通电阻、高电流密度、高击穿电压和高开关速度等特性,已成为下一代高密度电力系统的主流器件之一,而且在电子消费产品中得到大规模应用。由于硅基氮化镓横向功率器件电气可靠性十分有限,主要表现在硬开关工作环境中的动态电阻退化效应,这给其在寿命要求较长的领域(如数据中心、基站等电源系统)应用带来了挑战,阻碍了其在ICT电源等大功率领域中的大规模应用。

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