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搜索结果: 1-5 共查到传感器技术 绝缘相关记录5条 . 查询时间(0.144 秒)
司刚全教授、博士生导师,研究方向:(1)时序数据挖掘技术&泛在电力物联网;(2)工业智能软测量及控制技术;(3)工业无线传感器网络技术;(4)神经元非线性系统及其复杂动态网络。
伴随着运行时间的增长,硅橡胶绝缘子逐渐出现发热和老化的问题。为了实时检测硅橡胶绝缘子的工作温度,将光纤Bragg光栅温度传感器分别安装于硅橡胶绝缘子的金属棒上、下两端和伞群部分。在15kV工频电压作用下,硅橡胶绝缘子温度发生变化,从而使得安装于硅橡胶绝缘子上的光纤Bragg光栅温度传感器中心波长产生相应的移位。温度特性实验表明:金属棒上、下两端和伞群部分在无污染情况下温升分别为1.8℃、2.1℃和...
该发明是绝缘体上的硅高温超高压力传感器的制作方法。这种传感器又称为S01硅高温超高压力传感器,属于电子信息领域。该发明提供的方法最关键是采用S01技术解决敏感元件和弹性元件的高温电隔离,以硅和耐热玻璃环的静电键合为边界的钳制条件实现高量程和高线性输出。用该方法制作的压力量程在40-100MPa以上的高温超高压力传感器具有优于0.15%的非线性和大于100mV的满量程输出,以及小于0.1%的迟滞。
该项目在深反应离子(DRIE)形成的深沟侧面进行半导体杂质扩散来形成加速度敏感梁的两个侧面上的压阻敏感电阻的加速度传感器。为实现电阻间的电绝缘,在DRIE形成的绝缘深沟内进行绝缘薄膜填充,实现硅片内方向挠曲的加速度敏感梁的上的最大应力检测从而实现较高灵敏度。克服了采用硅片倾斜方向离子注入的繁琐和不适合批量制造,为实施倾斜离子注入预留的过宽沟槽从而影响敏感梁接触过载保护性能的两个缺点。
该发明专利是一种通过在深反应离子(DRIE)形成的深沟侧面进行半导体杂质扩散,来形成加速度敏感梁两个侧面上的压阻敏感电阻的加速度传感器,及其制造方法。它属于硅微机械传感器技术领域。该专利为实现电阻间的电绝缘,采用了在DRIE形成的绝缘深沟内进行绝缘薄膜填充的方法。该种制作方法可以实现硅片内方向挠曲的加速度敏感梁上最大应力的检测,从而实现较高灵敏度。同时还克服了两个缺点:(1)采用硅片倾斜方向离子注...

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