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本发明涉及一种系列复合金属稀土硼酸盐和复合金属稀土硼酸盐非线性光学晶体及其制备方法和用途，该系列分子通式为K7MRE2B15O30，其中M=Ca，Sr，Ba；RE=Sc，Y，Lu，Gd，分子量1045.85‑1403.13，三方晶系，空间群R32，晶胞参数：a=12.9705(15)‑13.2185(18)Å，b=12.9705(15)‑13.2185...
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种具有大长径比通孔的蜂窝状钼基金属陶瓷的加工方法
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种石墨烯上原位制备小尺寸金属氧化物的方法
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种具有大长径比通孔的蜂窝状钨基金属陶瓷的加工方法
中国科学院金属研究所专利：一种Ta2AlC纳米层状快体陶瓷及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 Ta2AlC 纳米层状 快体陶瓷
2023/12/25
中国科学院金属研究所专利：一种Ta2AlC纳米层状快体陶瓷及其制备方法
本发明涉及一种原位反应热压合成Nb4AlC3块体陶瓷及其制备方法。所述 Nb4AlC3块体陶瓷属六方晶系,空间群为P63/mmc,单胞晶格常数a为3.15,c 为24.22,理论密度为7.06g/cm3。其晶体结构中Al和Nb以较弱的共价键相结 合,使Nb4AlC3在应力作用下易沿(0001)基面产生剪切变形,使晶粒易于产生扭 折和层裂,宏观上表现显微塑性,可用普通的工具钢进行机械加工...
中国科学院金属研究所专利：一种炭石墨热等静压浸银工艺
中国科学院金属研究所 专利 炭石墨 热等静压 浸银工艺
2023/12/18
本发明涉及在高温、高压下制备复合材料的方法,具体为一种炭石墨热等静 压浸银工艺。将盛装银包石墨锭的坩埚和装入的银包石墨锭一起装入热等静压机 中,进行热等静压,浸银工艺如下：先在100～200Pa下烘炉至300℃；通Ar气 0.1～0.2MPa,升温至银充分熔化；断加热电源,抽真空至真空度为200-1000Pa； 充Ar并通电加热,在1200～1260℃、80～90MPa下保温、保压1～3小时后,断...
中国科学院金属研究所专利：热等静压用石墨金属包套的制备装置
中国科学院金属研究所 专利 热等静压 石墨金属包套
2023/12/18
本发明涉及高性能石墨密封材料的制备技术,具体为热等静压用石墨金属包 套的制备装置。该装置设有石墨柱、金属棒、石墨垫片、石墨坩埚盖、石墨坩埚、 浇铸口,石墨坩埚内装有石墨柱,石墨柱四周留有用于填充金属的间隙,石墨柱 下表面与石墨坩埚内底部设置的石墨垫片之间插设有金属棒,石墨柱上表面与石 墨坩埚顶部设置的石墨坩埚盖之间插设有金属棒,石墨柱上表面设有石墨垫片, 金属棒穿过该石墨垫片,石墨坩埚盖上开设有浇...
中国科学院金属研究所专利：一种耐高温、抗氧化锆铝碳陶瓷粉的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 锆铝碳陶瓷粉
2023/11/28
中国科学院金属研究所专利：一种耐高温、抗氧化锆铝碳陶瓷粉的制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种低温制备大块致密高纯单相Y2SiO5陶瓷快体材料的方法
中国科学院金属研究所专利：氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的合成方法
中国科学院金属研究所 专利 氧化硅 单壁碳纳米管 纳米电缆
2023/11/28
本发明涉及纳米电缆的合成技术,特别提供了一种电弧放电法原位合成无定 形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放 电的方式原位制备；阳极为由石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗 性阳极,起弧放电后,石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂原料共蒸发,原位合成 出氧化硅包覆一根或几根单壁碳纳米管纳米电缆结构。氧化硅具有热稳定性好、 介电常数高、漏电流小、耐压强度高等特点,是纳...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应制备铪铝碳陶瓷材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 铪铝碳 陶瓷材料
2023/11/27
本发明涉及耐超高温陶瓷的制备技术,特别提供了一种原位反应制备陶瓷铪 铝碳(Hf3Al3C5、Hf3Al4C5、Hf2Al4C6及多相复合)材料的方法,解决现有技术制 备的铪铝碳陶瓷材料不实用等问题。采用一定化学计量比的Hf粉、Al粉和C粉 为原料,原料经过球磨5-50小时,以10-20MPa的压力冷压成饼状,装入石墨 模具中,在通有惰性气体(如氩气)作为保护气(或真空...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压制备锆铝硅碳陶瓷块体材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 热压 锆铝硅碳 陶瓷块体材料
2023/11/27
本发明涉及耐超高温陶瓷的制备技术,特别提供了一种原位热压反应制备陶 瓷锆铝硅碳(Zr3[Al(Si)]4C6和Zr2[Al(Si)]4C5)块体材料的方法,可以解决现有非 原位合成的方法过程复杂、样品成型尺寸较小等问题。采用一定化学计量比的Zr 粉、Al粉、Si粉和C粉为原料,原料经过球磨5-50小时,以5-20MPa的压力 冷压成饼状,装入石墨模具中,在通有惰性气体(如氩气)作为保护气(或真空 ...
中国科学院金属研究所专利：一种具有良好热稳定性的双壁纳米碳管的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 热稳定性 双壁纳米碳管
2023/11/24
本发明涉及纳米碳管的制备技术,具体一种为具有良好热稳定性的双壁纳米 碳管的制备方法,适用于制备具有良好热稳定性的双壁纳米碳管。该方法采用阴、 阳极在压力气氛下电弧放电的方式,阳极为碳源、含结晶水催化剂前驱体和含硫 生长促进剂的混合物组成的消耗阳极,采用氢气电弧法制备；消耗阳极中的原子 比C∶(Ni、Fe、Co中的一种或两种以上)∶S＝100∶1～6∶0.1～0.5,缓冲气体 总压力为50-600乇...
中国科学院金属研究所专利：一种碳化硅泡沫陶瓷波纹板及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 碳化硅 泡沫陶瓷 波纹板
2023/11/24
本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域,具体为一种高强度、高比表面、 低膨胀、高导热、抗热冲击性能好、化学稳定性高、结构可控的碳化硅泡沫陶瓷 波纹板及其制备方法,解决碳化硅泡沫陶瓷波纹板成型等问题。所述SiC泡沫陶 瓷材料以多边型封闭环为基本单元,各基本单元相互连接形成三维连通网络结构, 材料板片具有褶皱状的波纹形状,波纹形状可以是三角或者圆滑波形；本发明采 用有机树脂及SiC粉末为主要原料,利用...