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近日，广西大学物理科学与工程技术学院孙文红教授领导的光电材料与器件研究团队成果以“Recent Advances in Packaging Technologies of AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-emitting Diodes”为题在《Advanced Materials Technologies》杂志上发表综述文章。
近些年来单晶 MAPbBr3钙钛矿由于其优异的光电性能和良好的化学稳定性，被认为是一种可用来制备高性能光电探测器的先进材料。目前，通过对MA+掺杂替代的方法，可以有效提高晶体的光电性能。本研究对Cs+掺杂前后的单晶性质与光电性能进行了模拟、比较和分析，结果表明掺杂元素能使晶格弛豫，有效的提高晶体稳定性，降低缺陷密度，当掺杂浓度在2%时效果最好。DFT模拟与XRD、XRC的测试结果很好的证明了这一点...
高质量的氮化铝薄膜是制备高质量深紫外发射器件的关键。由于衬底材料和生产成本的限制，外延氮化铝薄膜具有较高的位错，而且晶体质量通常与基板的错切角度和方向有关。因此，如何以低成本、高效率地获得高质量薄膜成为半导体领域的一个挑战。
近年来，有机无机杂化钙钛矿由于其自身独特的优点已被广泛应用在太阳能电池及探测器的吸收层材料，钙钛矿吸收层位于空穴传输层和电子传输层之间，传输层起到保护钙钛矿吸收层、提取和传输载流子的作用。传输层与钙钛矿层界面的接触性、电荷累积，及其萃取和传输能力是影响钙钛矿探测器发展的一大难题。目前，采用金属阳离子掺杂传输层的方法，有效改善上述问题。本研究中，针对Mg2+掺杂NiO作为钙钛矿光电探测器的空穴传输层...
在高质量UV-LEDs的应用中，AlN薄膜的应力和光学性能对器件性能至关重要。目前，采用纳米图案化蓝宝石作为衬底的方法，可以有效降低晶格失配引起的应力和位错密度。本研究针对AlN薄膜在纳米图案化和平面蓝宝石衬底上的应力和光学特性随温度的变化情况进行了比较和分析，结果表明图案化衬底生长的AlN有更小的压应力，图案化产生的纳米孔洞为应力的释放提供了通道；从衬底界面到外延层表面应力由张应力转变为压应力。...
由于AlGaN基UV-LED 器件的仍然存在许多技术上的困难和不明的老化机制，这些限制了UV-LED 的寿命可靠性和迅速渗透市场的能力。目前由于UV-LED 老化的物理机制尚未完全确定，引起了广大UV-LED研究人员的极大兴趣。基于这一现状，我们通过I-V、C-V、功率测量和一维模拟系统地研究了265 nm UVC-LEDs在不同恒定电流应力下的老化机理。通过对比实验和模拟器件老化前后载流子的浓度...
为了满足新型半导体光电子器件发展中形成的众多挑战性需求，高级设计软件和大规模的建模平台日显重要。基于现代计算机辅助设计、分析和优化器件性能。由中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室组织的全国第十二届凝聚态物质光学性质学术会议－半导体光电材料与器件建模和仿真专题学术交流会于2004年7月10－11在上海技术物理研究所召开。南京大学、浙江大学、中山大学、华东师范大学和中科院上海技术物理所、中科...