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搜索结果: 1-15 共查到电子物理学 辐射相关记录36条 . 查询时间(0.227 秒)
黑洞是爱因斯坦广义相对论预言存在的一类特殊天体。它产生的引力场是如此之强,以至于连光都无法从其表面逃逸出去。近年来,人们借由间接方式,比如物体被吸入黑洞前所放出的射线及周边恒星及星际云气绕行轨迹等手段,确认了宇宙中黑洞的广泛存在。黑洞并合会产生引力波,LIGO、Virgo这样的大型设施已经观测到很多黑洞并合引力波事件。另外霍金指出,在考虑量子效应后,由于真空的量子涨落,黑洞还会产生量子辐射[1]。...
高效荧光分子在激光染料、生物荧光标记、单分子成像等领域有着广泛的应用。分子的荧光效率取决于两大互相竞争的激发态弛豫过程,即辐射跃迁与非辐射跃迁过程。前者通过释放一个光子使得电子从激发态驰豫到基态,后者是指激发态电子通过振动驰豫而非辐射光子来实现能量耗散。辐射跃迁速率(kR)与非辐射跃迁速率(kNR)的比值决定了分子的荧光量子产率。多年来,关于辐射与非辐射跃迁速率的研究工作一直在进行,两者各自的理论...
2019年1月21日,《Nature Physics》在线发表了电子信息学院倪彬彬课题组在地球辐射带波粒相互作用方面取得的重要研究进展。该工作揭示了一种“反转”型辐射带电子能谱分布新现象,合理解释了等离子体层嘶声是产生该反转型能谱的主要原因,从而推动了对辐射带动力学过程与空间波粒相互作用机制的深入、全面认知。论文题为“Plasmaspheric hiss waves generate a reve...
爱因斯坦的广义相对论成功描述了弯曲时空中物质的运动。根据广义相对论的基本原理,光子态在弯曲时空中的演化可以呈现出许多新奇的特性。近些年,理论物理学家提出变换光学方法,利用超构材料模拟弯曲时空中光子态的演化行为,可以实现光子态的操控和新型集成光子芯片。变换光学在理论上有很多新奇设计,但在实验技术方面却面临很大挑战,许多理论设计很难在实验中真正实现。近几年来,南京学物理学院介电体超晶格实验室祝世宁、刘...
2017年10月12至13日,首届全国辐射探测微电子学术年会(NME’2017)在中国科学院高能物理研究所成功召开。会议由核电子学与核探测技术分会微电子专委会主办,核探测与核电子学国家重点实验室、中国科学院高能物理研究所、中国科学院青年创新促进会共同承办。
南京航空航天大学2013年硕士研究生入学考试初试致电离辐射探测学试题。
飞秒脉冲强激光与物质相互作用将产生硬X射线。激光X射线源具有超快的特点,非常适合对物质进行飞秒时间分辨的动力学探针,具有在医学、生物学和材料学方面极大的应用前景。但现有的激光X射线源存在信噪比低、光子总额少、空间时间相干性差等应用瓶颈。中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)光物理重点实验室激光高能量密度物理研究组陈黎明研究员及所属团队,在该领域取得过系列进展:首先利用高对比度激光与固...
提出了一种通用的严格求解任意微纳结构中2个二能级“原子”间量子偶极-偶极相互作用的方法.量子偶极-偶极相互作用传输率用2个经典电偶极子同时存在时的辐射功率减去它们单独存在时的辐射功率来表达,辐射功率通过经典的时域有限差分方法获得.将该方法应用到偶极子处于真空和平板金属腔中的情况,其数值结果与解析结果符合得很好,验证了该方法的可行性.
太赫兹辐射源在太赫兹科学技术中占有重要地位, 回旋管是一种高功率太赫兹相干辐射源器件, 具有广泛的应用前景. 电子科技大学研制出一支0.42 THz 二次谐波回旋管, 并进行了实验测试. 实验结果表明在磁场强度8.1 T 时, 该二次谐波回旋管产生了0.423 THz 的辐射输出, 脉冲宽度5 μs, 功率约为4.4 kW. 这是目前我国真空电子学器件产生的最高频率的太赫兹辐射输出.
本文针对OTR束流测量中用到的CCD相机系统,介绍了OTR束流测量的基本原理以及利用专用CCD芯片ICX208CL和AD9929在束测系统中关键部分相机系统设计中的应用,并对ICX208CL和AD9929进行了较为详细的介绍。
介绍北京正负电子对撞机重大改造工程储存环加速器调试运行期间周围环境、工作区域各监测点的平均辐射剂量率水平. 给出了电子环调试、正电子环调试、正负电子双环对撞调试、同步辐射光用户实验及不同束流频率下的典型剂量率水平曲线图, 并提出了防护建议. 总体监测数据表明, 储存环调试运行期间, 主体屏蔽及局部防护措施满足了储存环加速器调试运行需要, 达到了设计指标.
发现了一个被普遍忽视的问题, 在电感储能加速器运行中产生很强的电磁辐射. 这种电磁辐射在一定距离范围内可以对测量仪器造成破坏. 通过多次测量, 发现此辐射主频在75MHz左右, 频谱较宽, 是一低频电磁波. 以同轴电缆作为测量仪器的替代物, 测量辐射场对同轴电缆的作用, 罗氏线圈测得电流幅值达217mA. 辐射可能是由回路LC振荡或者加速器中的电爆炸丝开关引起的. 基于LC振荡和电爆炸丝的工作原...
本文推导了极化电子被极化质子的深度非弹性散射的辐射修正公式, 其中包括了极化e-p散射的弹性尾巴的精确公式和非弹性散射辐射修正的峰值近似公式.
利用我们曾经解析求得的电子、正电子分布函数的表达式,我们求得了e+e-对撞过程中辐射因子的严格的解析表达式.这一级数表达式可以很快地收敛到所要求的精度.本文也给出了与现有的近似结果的比较.本文结果十分有益于精确计算e+e-对撞过程中的辐射修正.
采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)的绝缘体上硅(SOI)材料进行改性, 在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅NMOS/SOI晶体管, 并对其进行60Co γ射线总剂量辐照试验. 通过背栅的I-V特性表征晶体管的总剂量辐照特性. 结果表明, 在埋氧层注硅可以降低NMOS/SOI受辐照引起的背栅阈值电压漂移, 提高埋氧层的抗总剂量能力.

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