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本发明涉及一种基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法。是以两步化学转化法合成多孔半导体In2O3纳米材料，经过初步分离纯化后得到纯度较高的In2O3纳米线，并以此作为气敏性材料，组装成半导体气体传感器。该气体传感器的工作原理是根据半导体In2O3纳米线材料暴露在空气和待测气体中电信号（电阻、电压、电流等）的变化来进行检测和分析的。气体传感器能够对乙醇、丙酮、甲醛等常见的有机挥发性气体(V...
郭新闻论文成果：A combined experimental and DFT study of H2O effect on In2O3/ZrO2 catalyst for CO2 hydrogenation to methanol
CO2 hydrogenation Methanol In2O3/ZrO2 catalyst Water effect Oxygen vacancies Density functional theory (DFT) Reaction mechanisms
2023/3/6
CO2 hydrogenation with renewable energy is one of the promising approaches to mitigate CO2 emissions and produce sustainable chemicals and fuels. The effect of adding H2O in the feed gas on the activi...
常用化石燃料的燃烧过程通常伴随着大量CO2的产生，在《巴黎协定》倡导下，全球都在积极探索更为低碳高效的燃料，CO2加氢制燃料已成为研究热点。然而CO2加氢反应过程中往往伴随着逆水煤气变换（RWGS）反应，会影响产物分布。近日，宁夏大学、宁夏计量质量检验研究院携手韩国延世大学共同报道了一种InCu/mAl（注：mAl表示既定铝含量）催化剂，在催化CO2加氢反应中明显提高了含氧化合物的选择性。相关成果...
通过控制乙醇钽的水解速率, 在丙酮水溶液中制备了可分散的 Ta2O5 微球, 并以此为载体构建了 In2O3/Ta2O5 异质结复合光催化剂, 利用扫描电子显微镜、X 射线能量色散光谱、粉末 X 射线衍射光谱、透射电子显微镜和紫外-可见漫反射光谱等手段对样品形貌、结构和光吸收性质进行了表征. 结果表明, In2O3 纳米粒子分布在 Ta2O5 微球表面, 且两相间存在明显的界面, 同时 In2O3...
本文采用溶胶-凝胶法(sol-gel)制备出氧化铁-氧化铟复合材料,利用提拉法将复合材料固定在锡掺杂玻璃光波导表面研究出能够检测二甲苯气体的Fe2O3-In2O3复合薄膜/锡掺杂玻璃光波导气敏元件。将气敏元件固定在气体检测系统中对挥发性有机气体进行检测。实验结果表明，Fe2O3-In2O3复合薄膜/锡掺杂玻璃光波导气敏元件对二甲苯气体具有较好的响应，其响应浓度范围为1×10-3～1×10-5(V/...
基于“相同温度下同一物体所产生的辐射功率相同”这一原理，搭建了一套非接触式微小芯片表面工作温度的测试平台。利用该平台对汉威电子出品的一种平面陶瓷基微气体传感器衬底的表面工作温度进行了测试，明确了其表面温度与加热电流之间的关系及芯片表面工作温度分布图。在此基础上，确定了In2O3纳米纤维的最佳工作温度，研究了最佳工作温度下In2O3纳米纤维酒精传感器的气敏特性，验证了测温方法的有效性。该方法可进一步...
Ti-doped In2O3 transparent conductive thin films with high transmittance and low resistivity
sputtering In2O3 transparent conductive oxide thin films
2011/5/9
Ti-doped In2O3 thin films have been prepared on glass substrate by radio frequency (RF)
sputtering with different sputtering powers (90, 120, 150, and 180 W) at 330 °C. The influence of
sputtering p...
In2O3电子结构与光学性质的第一性原理计算
In2O3 光学性质 电子结构 第一性原理
2009/10/13
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法, 计算了In2O3电子结构和光学线性响应函数, 系统研究了In2O3电子结构与光学性质的内在关系. 利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的In2O3材料的能量损失函数、介电函数、反射图谱, 根据电荷密度差分图分析了In2O3材料的化学和电学特性. 研究结果表明In2O3光学透过率在可见光范围内高达85%, 可作为优异的透明导电...
Ta-doped In2O3 transparent conductive films with high transmittance and low resistance
sputtering In2O3 transparent conductive oxide thin films
2011/5/6
Ta-doped In2O3 transparent conductive oxide (TCO) thin films are deposited on glass substrates
by radio-frequency (RF) sputtering at room-temperature. The influence of sputtering power on
the struct...
FT-IR Spectroscopic Study of the Reaction Mechanism for Selective Reduction of NO over Sol-gel Prepared In2O3-Ga2O3-Al2O3 Catalysts
Nitrogen monoxide selective reduction Propene Gallium oxide catalyst
2009/7/24
The catalytic activity of Ga2O3-Al2O3 for the selective reduction of NO with propene was inhibited by the presence of H2O, whereas the catalytic activity of In2O3-Ga2O3-Al2O3 was significantly promot...
Superconductivity in transparent zinc-doped In2O3 films having low carrier density
transparent thin films carrier density electrical resistivity annealing effect superconductivity
2010/10/12
Thin polycrystalline zinc-doped indium oxide (In2O3–ZnO) films were prepared by
post-annealing amorphous films with various weight concentrations x of ZnO in the range
0 6 x 6 0.06. We have studied ...
柔性基片上In2O3：Sn和ZnO：Al薄膜的制备及其电学和光学特性
柔性基片 光学能隙 半导体薄膜 制备
2008/11/20
利用直流磁控反应溅射铟锡合金靶和锌合金钯, 在软基片上低温沉积了Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）和ＺｎＯ：Ａｌ（ＺＡＯ）透明电薄膜. 结果表明, ＩＴＯ和ＺＡＯ薄膜均出现晶格畸变；柔性基片上低温沉积薄膜的电阻率对氧分压的依赖性远低于硅和玻璃衬底；尺度效应对薄膜电阻率有重要的影响.
In2O3：Sn（ITO）薄膜的光学特性研究
薄膜 红外反射率 ITO 光学特性
2008/11/13
对掺三氧化铟（Ｓｎ－ｄｏｐｅｄ Ｉｎ２Ｏ３简称ＩＴＯ）薄膜光学特性进行了研究. 结果表明, 该薄膜在可见光区具有高的透射率；低电阻率的ＩＴＯ薄膜在红外区的反射率随薄膜广场电阻的减小而增大, 表现在金属性质, ＩＴＯ薄膜的电磁本构特性参数光学折射率ｎ和消光系数Ｋ在４５０－８００ｎｍ区间的色散很弱, 基于对薄膜光学吸收及收系线性拟事表明, 薄膜在Ｋ＝０处价速写对导带的跃迁是禁戒跃迁.
纳米Fe-In2O3颗粒膜的结构与磁特性
纳米金属颗粒膜 晶体结构 磁性
2008/9/16
采用射频溅射法制备了纳米“铁磁金属-半导体基体”Fex(In2O3)1-x颗粒膜，并研究了其结构和磁特性.根据颗粒膜低场磁化率χ(T)温度关系和不同湿度下的磁滞回线,证实了在一定的温度范围内,颗粒膜中的纳米铁颗粒表现出磁性驰豫效应:当截止温度TB=50 K时,颗粒膜的磁性由超顺磁性转变为铁磁性.当温度降低到某一临界温度TP时,颗粒膜中结构变化导致磁化状态发生“铁磁态-类自旋玻璃态”转变,探讨分析了...
纳米Fe-In2O3颗粒膜的巨磁光Faraday效应
颗粒膜 磁光Faraday效应 结构 磁性
2013/10/9
研究了射频溅射法制备的纳米“铁磁金属-半导体基体”Fe-In2O3颗粒膜的巨磁光Faraday效应. 实验结果表明, 当Fe体积百分比为35%时, 颗粒膜样品的室温Faraday旋转角θF数值达到105 (°)/cm数量级. Fe0.35(In2O3)0.65颗粒膜样品的Faraday旋转角θF随温度的变化关系表明, 当温度低于10 K时, θF数值随温度的下降而迅速增大, 在温度T = 4.2 ...