搜索结果: 1-10 共查到“Bridgman E. C.”相关记录10条 . 查询时间(0.059 秒)
利用焓-多孔介质法对垂直Bridgman生长CdTe的数值模拟
焓-多孔介质法 垂直Bridgman dTe
2009/2/10
利用数值模拟研究了碲化镉在垂直Bridgman炉中生长时的固-液界面的形状.采用焓-多孔介质法,在固定网格上对碲化镉的固液两相用统一的控制方程进行了整场求解,用一特征参数确定界面的位置和形状.结果表明,当晶体的生长速率较低时,界面的形状与物质在固态和液态两相下的热扩散率有关.如果两种热扩散率的数值相近,界面的形状是平坦的.液态区自然对流是界面形状的影响因素之一,而积聚在固态区的结晶潜热是形成弯曲固...
Transport property measurements of Bi2Se3 crystal grown by Bridgman method
Crystal growth transport properties thermoelectric materials atomic force microscopy
2010/4/8
This paper deals with the growth of Bi2Se3 crystal by newly designed experimental set-up of Bridgman technique in our laboratory. Grown crystal is characterized by EDAX (Energy Dispersive Analysis of ...
坩埚内壁碳膜对Bridgman法生长CdZnTe晶体热应力的影响
CdZnTe 晶体生长 热应力场 数值模拟
2008/3/13
采用单晶位错研究的热弹性模型,计算模拟了垂直布里奇曼法碲锌镉单晶生长过程的应力场,研究了坩埚内壁碳膜的厚度对晶体内热应力的影响.计算结果表明:晶体边缘与坩埚内壁接触位置的热应力远大于晶体中心处的热应力,碳膜厚度的增加,可以显著地减小晶体边缘处的热应力,然而对晶体中心处的热应力影响较小;另外,晶体生长过程中存在两个高应力区,一是固-液界面以下附近的区域,在晶体与坩埚接触的位置出现最大值max1;另...
期刊信息
篇名
Growth of high resistivity CdZnTe crystals by modified Bridgman method
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
Qi-feng Li,Shi-fu Zhu,,Bei-jun Zhao et al.
第一作者单位
四川大学
刊物名称
J. Crystal Growth
页面
2001,Vol.233, No.4 ,7...
垂直Bridgman法晶体生长中的非等温相变现象初探
垂直Bridgman法 轴对称双倒易边界元方法 扩展项 非等温相变现象
2013/10/29
将加扩展项的轴对称双倒易边界元方法拓展应用于数值模拟垂直Bridgman法生长HgCdTe及CdZnTe晶体过程中非等温相变传热传质问题, 印证了轴向溶质浓度的分区分布并且研究了拉晶速度对分区的影响, 同时分析了晶体生长过程中产生的一维瞬态非等温相变现象, 获得了由初始过渡区经稳定生长区, 最后到末端过渡区全过程的非等温相变数值结果. 进一步, 通过数值模拟捕获了拉晶速度为零时, 稳态情况下的二维...
On the Numerical Solution and Limitations of Energy Equation for Vertical Bridgman System with Varying Temperature Gradient at the Boundary
Numerical Solution Energy Equation Vertical Bridgman System Temperature Gradient
2010/4/13
In vertical Bridgman crystal growth systems solid-liquid interface shape is one of the most important factors affecting the product quality. Most of the theoretical studies to determine the interface ...
The Relation Between Dislocation Density and Crystal Crosscut in b-Sn Grown by Modified Bridgman Method
Dislocation Density Crystal Crosscut b-Sn Grown
2010/4/19
Crystals b-Sn are grown from ingots of 99.99% purity by modified Bridgman method under 10-3 torr pressure and oriented by Laue back reflection method. The relation between crystal crosscut and disloca...