搜索结果: 1-2 共查到“半导体材料 3C-SiC”相关记录2条 . 查询时间(0.156 秒)
掺氮3C-SiC电子结构的第一性原理研究
3C-SiC 电子结构 第一性原理计算
2009/5/25
采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函,电子波函数采用平面波基矢展开,并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用,对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究.对不同掺氮浓度3C-SiC超晶胞的能带结构和态密度进行计算,结果表明氮原子的2p态和2s态分别占据价带顶和导带底,随着掺杂浓度的增加,导带底和价带顶的位置逐渐向低能端移动,导带底移动速度要大于价带顶,...