搜索结果: 1-8 共查到“半导体技术 InP”相关记录8条 . 查询时间(0.21 秒)
近日，东南大学张彤教授课题组基于前期报道的柔性衬底InP异质结双极型晶体管（InP DHBT）制备技术，提出了一种InP DHBT与柔性衬底之间的BCB键合优化工艺，基于该工艺获得了目前文献报道最高的截止频率fT = 358 GHz和振荡频率fMAX = 530 GHz。并且本文评估了两种不同BCB厚度下InP DHBT在柔性衬底上的热阻，测试了对应不同热阻下对器件直流和高频特性的影响。此外，本文...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所InP基无锑量子阱激光器和高铟组分InGaAs材料研究获进展（图）
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 InP基无锑量子阱激光器 高铟组分InGaAs材料
2015/4/13
2-3微米波段半导体激光器和探测器在航天遥感和气体光谱检测等方面具有重要的应用。中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室研究人员通过对量子阱有源区和分子束外延生长条件的优化，成功研制出波长达2.9微米的激光器，这是当前国际报道的波长最长InP基无锑量子阱激光器。该工作已在Applied Physics Letters 杂志上发表并引起国际广泛关注，国际半导体领域行业杂志Sem...
发光波长位于2-3μm波段的高性能半导体激光光源因可以广泛应用于气体探测、超长距离无中继通信、生物医学等领域而成为人们研究的热点。目前，2-3μm波段半导体激光器有源区材料主要采用GaSb基量子阱和InP基量子阱结构。GaSb基量子阱材料因其生长结构复杂，含Sb的四元甚至五元系化合物生长及界面难以控制，特别是采用适合大规模生产应用的MOCVD更难实现高质量多元锑化物的生长制备。相比较，InP基In...
InP上Al膜的阳极氧化及其特性研究
半导体界面 阳极氧化 介质薄膜
2009/10/20
本文报道了半导体InP上Al膜阳极氧化的研究,并用AES,V-V,DLTS和椭圆仪等测试方法研究了氧化膜的稳定性、电学特性、组分的纵向分布以及Al2O3/InP的界面特性,研究结果表明,阳极氧化Al2O3的介电常数为11～12,Al2O3/InP界面存在一个能量上连续分布的电子陷阱,DLTS峰值对应的能级位置约在Ec-Ec=0.5eV,其俘获截面约为10-15cm2,Al2O3/InP的界面态密度...
研究了一种用于边入射型探测器的InP基高效光纤-波导耦合器. 它由10个周期的未掺杂120nm InP/80nm InGaAsP (1.05μm带隙)多层膜组成的稀释波导构成. 采用半矢量三维束传播（BPM）方法以及中心差分格式，模拟了不同条件下的光纤-波导耦合效率，从而得到了最优耦合条件. 对于TE偏振和TM偏振模，计算所得到的最高耦合效率分别为94%和92%. 同时，计算表明，此类基于稀释波导...
3毫米波段InGaAs/InP双异质结双极型晶体管研制成功
毫米波频段 双极型晶体管
2008/8/6
中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）金智研究员领导的课题组成功研制出面向3毫米波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管。
毫米波频段是满足日益强烈的高精度探测及高速率数据通信要求的关键资源。继8毫米波段（26.5～40GHz）之后，3毫米波段（75～111GHz）成为世界各国高频技术竞争的制高点。基于固态半导体技术的毫米波单片集成电路（MMIC）由于具有体积小、重量...
InGaAs/InP APD探测器光电特性检测
静态光电特性的自动测试系统 雪崩光电二极管 大面积APD 倍增因子
2012/4/17
建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明，该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151 nA，在直径500 mm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法，只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器，就可以获得开始倍增时的光电流，从而得到APD的倍增因子。通过...
InP-based Monolithic Optoelectronic Integrated Circuits
InP-based monolithic integration transmitter photoreceiver OEIC
2010/7/15
The development in InP-based optoelectronic monolithically integrated circuits of both the receiver and transmitter are introduced. The results of a 1.3Gbit/s long wave length monolithiclly integrated...