搜索结果: 1-13 共查到“电子技术 MOS”相关记录13条 . 查询时间(0.271 秒)
桂林电子科技大学信息与通信学院模拟电子电路基础课件第四章 MOS模拟集成电路基础（三）。
桂林电子科技大学信息与通信学院模拟电子电路基础课件第四章 MOS模拟集成电路基础（二）。
桂林电子科技大学信息与通信学院模拟电子电路基础课件第四章 MOS模拟集成电路基础（一）。
南京师范大学电气与自动化工程学院电子技术基础（数字电子技术基础）课件第三章第一节 MOS逻辑门
南京师范大学电气与自动化工程学院 电子技术基础 数字电子技术基础 课件 第三章 第一节 MOS逻辑门
2015/7/17
南京师范大学电气与自动化工程学院电子技术基础（数字电子技术基础）课件第三章第一节 MOS逻辑门。
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数，对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。MOS器件是一种重要的静电放电防护器件，被广泛地应用为集成电路输入输出口的静电保护器件。用TCAD仿真工具对MOS器件的二次击穿进行宏模块建模，该模型能够正确反映MOS器件二次击穿的深刻机理，具有良好的精确性和收敛性，这对在电路级以及系统级层面上仿真静电放电防护网络的抗静电...
新型硅基MOS力敏传感器的设计与制作
力敏效应 MOS晶体管 灵敏度 功耗
2014/5/15
随着汽车、航天、生物等领域对力敏传感器的越来越巨大的市场需求，力敏传感器再次成为研究的热点。压阻式力敏传感器由于其性能稳定、制作工艺简单、稳定性好且价格低成为商家的首选。研究表明，在应力作用下，MOS晶体管的源漏电流的大小会随着沟道区所受应力大小而变化，具有类似压敏电阻的力敏效应。本文基于MOS晶体管的这种力敏效应，采用晶体管和电阻构成压敏电桥，提出了一种新型的硅基MOS力敏传感器。该器件在与传统...
计算MOS器件应力的简单方法
MOS器件 机械应力 Raman谱法
2009/9/23
本文根据SiO2薄膜的边缘力集中近似模型,求出了硅MOS器件中的应力场。计算结果与K.Kobayashi(1990)进行的Raman谱测量结果吻合较好。
Statistical Model of Hot-Carrier Degradation and Lifetime Prediction for P-MOS Transistors
Hot-carrier P-MOS transistor lifetime prediction
2009/7/28
Along with advances in microelectronics, and computer and space technologies, device dimensions are becoming smaller; as a result, hot-carrier effect, lifetime prediction, and reliability become more ...
纳米MOS器件RTS噪声测量与分析
随机电报信号噪声 噪声测量 虚拟仪器
2009/1/22
提出了一种基于虚拟仪器的纳米MOS器件随机电报信号噪声测量方法．应用虚拟仪器平台采集随机电报信号噪声的时间序列，采用逐点差分和高斯函数拟合方法，提取了随机电报信号噪声的相对幅度，再通过数字滤波和指数函数拟合方法提取随机电报信号噪声时常数．通过对90nm MOS器件的测量分析，结果表明该方法不但计算速度远高于传统方法，而且在相同精度要求下，需要的采样点仅为传统方法的1/10．在随机电报信号时常数较小...
P-MOS多晶硅电路
多晶硅电路 无静态功耗
2008/12/1
由于P型多晶硅TFT的活化温度低，热载流子影响小，具有很好的稳定性；制备P型器件与CMOS器件相比，可省去两块N、P注入的掩膜光刻过程和一道N型杂质的注入工艺。该项目用全P型TFT，采用三相D触发电路结构，设计和研制出几乎没有静态功耗的PMOS多晶硅显示驱动电路，在三组递次循环电压脉冲信号的作用下，可输出移位正确的电压脉冲信号；用金属诱导晶化多晶硅做有源层，比激光晶化有高的效益/成本比；全PMO...
本文描述双极场引晶体管(BiFET)短沟道理论. 晶体管分成两个区域，源区和漏区. 每区在特定外加端电压下既可为电子或空穴发射区又可为电子或空穴收集区. 把两维无缺陷Shockley方程分离为两个以表面势为参变量的一维方程，并运用源区和漏区界面处电子电流和空穴电流连续性，得到在源区和漏区内解析方程. 典型BiFET包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅（MOS）栅. 用图形提供实用硅基和氧化层厚度范围内...
2004年12月24日上午，清华大学电子系《MOS集成电路设计与实践》课程教学成果鉴定会在甲所举行。鉴定委员会认为，该课程对研究生的培养是全面的，课程在培养人才的同时，积累了宝贵的教学经验和有科研价值的教学成果，推动了学科发展，为研究生实践课程的发展途径作出了非常有意义的而且是卓有成效的探索。
Relaxable Damage in Hot-Carrier Stressing of n-MOS Transistors
Stress relaxation diode parameters
2010/12/9
A method for device characterization is experimented to qualify the relaxable damage in hot-carrier stressing of n-MOS transistors. The degradation of physical parameters of the body-drain junction of...