搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 GaAs”相关记录63条 . 查询时间(0.115 秒)
近日，天津赛米卡尔科技有限公司和天津华慧芯科技集团有限公司宣布达成战略合作。双方将在GaAs基光电器件的设计研发和工艺创新等多个方面展开深度合作，共同推进半导体芯片领域的发展和进步。
An Electronically Reconfigurable Three Band Low-Noise Amplifier in 0.5 μm GaAs pHEMT Technology
RFIC MMIC LNA Reconfigurable IC
2014/12/8
State-of-the-art RF front-end circuits are typically designed to operate at a single frequency. With an increasing number of available wireless standards, personal mobile communication devices require...
GaAs光阴极激活稳定性研究
GaAs光阴极 激活 稳定性 表面势垒
2016/8/19
为了提高Cs-O激活后GaAs光阴极的稳定性，延长像管的使用寿命，从Cs-O激活方面着手进行研究，寻找解决途径。改变GaAs光阴极激活中的Cs过量，并在线监测真空环境下光电流的变化情况，寻找激活对GaAs光阴极稳定性的影响因素。分别进行3组5种比例的激活实验，在光电流下降至Cs峰峰值90%、70%、50%、30%和10%时给O进行交替激活。激活结束后，在低于1×10-8Pa的真空环境下在线监控30...
高温退火对GaAs光阴极表面状态的影响
GaAs光阴极 表面 高温退火 XPS
2016/8/19
利用XPS分析了GaAs光阴极高温退火、激活前后表面组分的变化，结合光阴极退火过程中通过四级质谱仪获取的CO2、H2O、O、As、Cs等分压曲线，比较、讨论了两次退火机理的差异。提出第二次加热的目的不仅在于清洁光阴极表面，更重要的是促使第一次激活在光阴极表面形成的偶极层向更稳定的结构转化，Cs2O偶极子在高温下与GaAs本底反应生成了可在光阴极表面稳定存在的GaAs-O-Cs偶极子，形成主要由键合...
中国科学院半导体研究所低温LT-GaAs材料成功应用于制备太赫兹天线
低温LT-GaAs材料 成功应用 制备太赫兹天线
2012/12/21
太赫兹(THz)波通常是指频率在0.1～10THz（波长介于微波与红外波之间的0.03～3毫米范围）的电磁波。太赫兹成像和波谱技术将是太赫兹应用的主要技术。太赫兹具有高频和超短脉冲（皮秒量级）特性，使之具有很高的空间分辨率和时间分辨率。太赫兹能量很小，不会对物质产生破坏作用，所以比X射线技术更具优势。此外，许多生物大分子的振动和转动共振频率也处在太赫兹波段。因此，开发太赫兹波技术将对宽带通信、雷达...
均匀掺杂GaAs光阴极表面势垒特性研究
GaAs光阴极 三偶极子模型 表面势垒 电势分布
2016/9/1
根据激活过程中光电流变化规律及原位光谱响应测试，模拟了GaAs光阴极表面势垒的形成过程，在光阴极表面双偶极子模型的基础上作了修正，建立了三偶极子模型。新模型认为，光阴极表面势垒由三个偶极层套构而成，第一偶极层由GaAs（Zn）-——Cs+偶极子组成，第二偶极层由Cs2O偶极子组成，第三偶极层由GaAs-O-Cs偶极子组成，第二、三偶极层嵌入第一偶极层中。根据隧道效应与量子效率测试结果，确立了势垒中...
通过求解一维稳态少子扩散方程,推导了含有后界面复合速率和发射层厚度的透射式GaAs光电阴极表面光电压谱理论方程.通过对发射层厚度分别为1.6 μm和2.0 μm,掺杂浓度为1×1019 cm－3的GaAs透射式阴极样品测试,理论曲线和实验曲线基本一致.通过引入表面光电压谱积分灵敏度公式,仿真探讨了表面光电压谱在一定体材料参量条件下,积分灵敏度受发射层厚度的影响|发现在体材料参量一定条件下,透射式G...
本文以UV/O3法去除GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶体表面碳的污染,实验给出不同的结果并给予解释。
GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级
发光管 GaAlAs/GaAs双异质结 深能级
2010/5/6
本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为EC-ED≈0.29eV和ET-EV≈0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与...
MMIC设计和GaAs/GaN先进工艺研讨会在上海微系统所召开（图）
先进工艺 研讨会 召开
2011/11/10
1月26日下午，应上海微系统所邀请，United Monolithic Semiconductors（UMS）工艺经理Eric Leclerc 和UMS（亚太区）销售经理Xavier来所进行了“MMIC设计和GaAs/GaN先进工艺研讨”。会议由五室李凌云博士主持，近30人参加了会议。Xavier介绍了UMS的总体概况，UMS全球及中国区代工业务分布及潜在市场。据介绍，目前中国占领UMS流片代工业...
MMIC设计和GaAs/GaN先进工艺研讨会在上海微系统与信息技术研究所召开（图）
先进工艺 研讨会 召开
2011/11/29
2010年1月26日下午，应上海微系统与信息技术研究所邀请，United Monolithic Semiconductors（UMS）工艺经理Eric Leclerc 和UMS（亚太区）销售经理Xavier来所进行了“MMIC设计和GaAs/GaN先进工艺研讨”。会议由五室李凌云博士主持，近30人参加了会议。
i-GaAlAs/GaAs异质结绝缘栅场效应晶体管的静态特性研究
异质结绝缘栅场效应晶体管 低场特性 结构参数
2009/11/17
本文在改进型电荷控制模型基础上,引进GSW速度场方程,推导出异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)的ID-VD-VG,IDS-VG,Gm,和CG等一系列静态特性方程。计算结果与文献实测值进行了比较,在VG<2V,IDGaAlAs厚度d, GaAs迁移率和温度对Gm的影响。并指出了提高HIGFET...
在p+GaAs体单晶材料上进行的NEA活化实验
NEA GaAs活化 表面清洁 表面温度控制
2009/11/17
NEA活化实验是利用体单晶材料进行的,未经任何外延或真空解理手续。为确立活化工艺,特别是表面清洁处理规范,作了相应AES分析。借助于测量样品附近高纯Al的熔点以校准及控制样品表面的温度。在不太好的本底真空(2×10-7—6×10-7Pa)条件下,活化好的GaAs样品之白光光电灵敏度可达1000μA/lm以上。
注硅不掺杂半绝缘GaAs中的深能级缺陷
注硅砷化镓 快速热退火 离子注入 深能级
2009/11/17
用DLTS法对经两步快速热退火(RTA)后的注硅不掺杂SI-GaAs中的缺陷进行了研究。确定了激活层中存在着两个电子陷阱组(以主能级ET1、ET2标记)及其电学参数的深度分布。在体内,ET1=Ec—0.53eV,σn=2.3×10-16cm2;ET2=Ec—0.81eV,σm=9.7×10-13cm2;密度典型值为NT1=8.0×1016cm-3,NT2=3.8×1016cm-3;表面附近,ET1...