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SOI压阻传感器的阳极键合结合面检测
绝缘体上硅(SOI) 压阻传感器 芯片 封装质量 视觉检测 阳极键合
2016/7/28
由于当前绝缘体上硅（SOI）压阻传感器芯片的封装质量仍依赖人工检测，本文提出了一种自动实现该项检测的视觉检测方法。分析了压阻传感器的工作原理， 研究了芯片定位精度和结合面质量对传感器性能的影响。以传感器性能和质量为导向，提出了一种以中心定位偏差和键合面结合度为检测点的封装结合面检测方法。该方法通过对Hough圆检测效果和实际图像的分析完成定位精度的检测；基于对传感器质量影响因素的分析和气泡面积的统...
目前压阻式压力传感器灵敏度优化仿真计算仅基于压阻条整体性几何分布，在相关参数的优化上存在局限性，且在模型及计算等方面有一定误差。本文提出一种专门用于SOI压力传感器，通过精确分析敏感栅的栅数、栅长以及其坐标分布的最佳组合参数，结合不同量程芯体膜厚的计算，达到传感器灵敏度优化的方法。基于Microsoft Visual C++平台以及有限元、数值分析等接口技术，采用参数化建模，有限元分析仿真，数值后...
采用SOI硅片，基于MEMS技术，设计并加工了一种新型三明治结构的硅微谐振式压力传感器，根据传感器敏感单元的结构设计，制定了相应的制备工艺步骤，并且针对湿法深刻蚀过程中谐振子的刻蚀保护等问题，提出了一种基于氮化硅、氧化硅和氮化硅三层薄膜的保护工艺，实验表明，在采用三层薄膜保护工艺下进行湿法刻蚀10小时后，谐振子被完全释放，三层薄膜保护工艺对要求采用湿法刻蚀镂空释放可动结构具有较高的实用价值。最后对...
本文根据锥形光纤与平面环型微腔耦合原理，使用L-Edit版图设计软件设计并优化了锥形光波导与微腔耦合系统。利用MEMS工艺对SOI圆晶片进行加工，从而实现了锥形光波导与跑道型以及环型光波导微腔的集成。其中，光波导以及微腔通过ICP刻蚀顶层硅而成，矩形槽通过RIE刻蚀衬底硅而成。光波导两侧的矩形凹槽可方便光纤接入以及对出射光的探测，从而提高了光波导微腔耦合系统的稳定性。
SOI微型电场传感器的设计与测试
电场微传感器 微机电系统(MEMS) 绝缘体上硅(SOI) 分辨率
2011/11/17
该文研制了一种新型的基于SOI (Silicon-On-Insulator)微机械加工技术的高性能电场传感器敏感结构。为提高传感器的灵敏度和信噪比，该器件采用侧面屏蔽感应电极的独特设计方案，降低了传感器屏蔽电极的边缘效应；并基于有限元仿真，进一步优化了传感器敏感结构参数。在室温和室内大气压条件下，测试表明，测试量程0～50 kV/m，传感器总不确定度优于2%，分辨率为50 V/m。
SOI硅微固态传感器关键技术研究及系列产品开发
SOI 传感器 硅隔离
2008/10/24
在国家863项目组及省、市科技部门的支持下，我校针对特种领域对高温压力测试的迫切需求，采用基于SOI（硅隔离）技术的固态浮雕式压阻力敏芯片和新型的硅杯、梁膜结构，使SOI耐高温压力传感器可用于高温及高频等恶劣条件下的压力测量。 在高温压力传感器研制成果的基础上，2005年我校拓展研究了低中量程（200～1000g）、工作温度在200℃～400℃的三轴加速度传感器。该加速度传感器采用了悬臂梁式弹性元...
SOI（梁膜结合）耐高温压力传感器
压力传感器 微型压力传感器
2008/10/22
耐高温微型压力传感器产品，具有精度高、可靠性高等优点，其温度工作范围为-20～250℃，可完成1000MPa以下任意量程范围的压力测量，能承受2000℃瞬时高温冲击，完成了可适用于高温、高压、高频响及瞬时高温冲击等条件下压力测量的高温压力传感器。2003年，该项目顺利通过了863专家组验收，并于2004年，教育部对这一成果组织了科技成果鉴定，认为：该项目属国内首创，其性能指标和总体水平达到国际先进...
SOI高温压力传感器
压力传感器 高温
2008/10/22
该传感器的工作温度为-65℃～250℃，最小量程为0～300mm水柱，最大量程为0～100MPa，精度为0.2%。其具有体积小、工作温度宽、抗沾污能力强、长期稳定性好等特点。SOI高温压力传感器高性能、低成本，可在市场中得到广泛的应用，是单晶硅压力传感器的换代产品，可用于汽车、家电、工业控制以及国防工程中。