搜索结果: 1-14 共查到“光电子技术 ZnO”相关记录14条 . 查询时间(0.125 秒)
近日，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所微纳技术与器件研究室李越课题组，与济南大学教授李村成合作，在Au@ZnO核壳纳米颗粒自组装及光电催化析氢性能研究方面取得进展，相关研究结果发表在ACS Applied Materials & Interfaces上。光电催化分解水制氢是利用太阳能制备燃料的理想途径之一，光电催化将有望成为解决目前日益严重的能源危机和环境问题的重要技术。在光电催化分解水...
氨水量对微波制备花状ZnO光催化性能的影响
微波法 花状ZnO 形貌 光催化
2014/6/20
通过一种简便高效的微波法在不同氨水量下制备了花状ZnO。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及光致发光光谱仪(PL)对产物的结构、形貌以及光学特性进行表征。发现此种方法制备的ZnO为微米量级，花状结构是由一系列底部粗、顶部细的纳米棒组合而成，光致发光显示有很强的绿光发光峰。光催化测试表明ZnO对甲基橙有较强的降解作用，1小时的降解率约95%。氨水量对ZnO的结构形貌有影响，对光致发...
顶端ZnO纳米结构对GaN基LED光提取效率的影响
发光二极管 ZnO纳米结构 光提取效率 时域有限差分
2013/9/22
为了提高GaN基蓝光LED的光提取效率,本文建立了LED顶面分别铺设ZnO纳米柱和纳米锥结构的两种模型,利用时域有限差分法对两种模型进行仿真并对结果进行了比较.仿真结果表明,ZnO纳米结构的各项几何结构参量(包括排列周期P、高度L、宽度W以及斜率k等),对LED顶端光提取效率影响显著.仿真分别得到了两种结构的最佳模型,通过比较,LED顶面纳米柱和纳米锥结构对光提取效率的提高效果相近,其最佳提取效率...
ZnO/GaN核壳异质结电子结构和光学特性第一性原理研究
异质结 电子结构 光学性质 第一性原理
2013/3/22
采用密度泛函理论框架下的第一性原理方法计算了ZnO/GaN核壳异质结的电子结构和光学特性.计算结果表明:[10 10]和[11 20]晶面的异质结在带隙边缘价带顶和导带底的电子态密度各自主要由氮原子和锌原子贡献.以[10 10]晶面为侧面的异质结结构的介电函数虚部(ε2)的曲线具有相似的特征,都是价带的氮原子到导带锌原子的跃迁,但峰位依赖于核层数和壳层数的不同而有所偏移.相对地,以[11 20]晶...
为了研究ZnO掺Sb后电子结构和光学性质的变化，采用基于密度泛函理论对纯净ZnO和Sb掺杂ZnO两种结构进行第一性原理的计算。计算结果表明：随着Sb的掺入，体系的晶格常数变大，键长增加，体积变大，系统总能增大。能带中价带和导带数目明显变密，费米能级进入导带，体系逐渐呈金属性，带隙明显展宽。在光学性质方面，主吸收峰的左边出现了新的吸收峰，是由导带上的Zn-4s和Sb-5p轨道杂化电子跃迁所致；同时介...
不同条件制备的ZnO纳米梳结构及其性能研究
ZnO纳米梳 热蒸发 光致发光光谱 场发射
2012/12/12
采用热蒸发法通过改变衬底放置条件在Si (111)衬底上制备出了ZnO纳米梳结构.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计、场发射装置对样品的结构、形貌、光致发光光谱及场发射特性进行了分析.XRD结果表明衬底水平放置(A)和衬底竖直放置(B)制备出的样品均属于多晶六角纤锌矿结构.SEM结果表明两种衬底放置条件下的样品均为纳米梳状结构,改变衬底放置条件ZnO纳米梳的尺寸和形貌有...
MSM结构ZnO紫外探测器的制备及光电性能研究
ZnO薄膜 紫外探测器 MSM结构 光电性能
2013/9/29
采用磁控溅射方法，在石英衬底上制备了光电性能优良的ZnO紫外探测器。通过紫外光电性能测试、扫描电子显微镜（SEM）观察及X射线衍射（XRD）分析，研究了ZnO紫外 探测器的光电特性。结果表明：探测器的光电流高出暗电流近3个数量级，紫外波段的光响应高出可见光波段近2个数量级，所制备ZnO紫外探测器达到了高辐射灵敏度和可见盲特性 的要求。
2011年4月21日，中科院基础科学局在北京主持召开了由中科院长春光机所任首席单位，由中科院物理所、半导体所、福建物构所、上海光机所和中国科学技术大学共同承担的中国科学院知识创新工程重要方向项目“ZnO基材料、器件的相关物理问题研究”验收会。验收组听取了项目负责人和各课题负责人的工作报告，经过认真讨论，认为项目组已超额完成了项目计划书规定的各项任务，一致同意通过项目验收。
利用射频磁控溅射技术在SiO2/n-Si和石英玻璃衬底上制备了具有C轴择优取向的ZnO薄膜，研究了退火对ZnO薄膜特性的影响，并在以SiO2/n-Si为衬底、退火温度为900℃的薄膜上制作了Ag-ZnO-Ag肖特基型和Au-ZnO-Au光电导型 MSM叉指结构的紫外探测器。所制作的两种MSM紫外探测器在350nm波长紫外光照下电流增加，在紫外波段有较高的响应度，光响应度峰值在370nm附近。
浙江大学叶志镇课题组ZnO—LED发光研究取得重要进展
浙江大学 叶志镇课题组 ZnO—LED发光研究
2009/7/10
最近，由硅材料国家重点实验室叶志镇教授课题组研制的ZnO发光二极管（LED）原型器件取得重要进展，实现了室温下长时间、高亮度、大面积均匀电致发光。单个LED原型器件大小约4mm2，发出由紫蓝光和缺陷黄绿光混合而成的类白光，持续发光20多分钟。 
A nickel-like silver laser emitting at 13.9-nm wavelength was used to evaluate the scintillation properties of a hydrothermal method grown zinc oxide (ZnO) crystal in an extreme ultraviolet region. Th...
ZnO短波长激光器若干关键技术研究
ZnO短波长 激光器 关键技术
2008/10/15
本项成果发展了研制ZnO晶体、薄膜及发光器件的技术与方法, 形成了一整套具有自主知识产权的技术，包括自行研制的ZnO单晶衬底、自行研制的ZnO金属有机化学气相淀积（MOCVD）系统、ZnO材料的MOCVD同质外延技术、ZnO p型掺杂原位控制技术与激活技术等。提出了提高水热法生长ZnO晶体生长效率和质量的方法与技术，通过将两块晶片按照-C面相对拼装在一起或直接在晶片的-C面涂覆上一层金属涂层，大大...
ZnO单晶膜上GaN基纳米光电子材料生长及LED器件研发
ZnO单晶膜 GaN基 纳米光电子材料 LED器件
2008/10/9
该课题发明了一种厚度为1纳米的特殊过渡层和一种特定的硅表面加工技术，克服了外延材料和衬底之间巨大的晶格失配和热失配，在第一代半导体硅材料上，制备出高质量的第三代半导体GaN材料，成功地解决了硅衬底上制备的GaN单晶膜材料龟裂这一世界难题。课题组发明了一种高可靠性LED外延材料结构，通过优化生长技术，制备了高质量的具有纳米量子阱结构的第三代半导体GaN基LED材料，攻克了硅衬底上GaN基LED可靠性...
Ultraviolet photoconductive detector with high visible rejection and fast photoresponse based on ZnO thin film
ZnO MSM Photoconductive detector Responsivity
2011/12/8
In this study, metal–semiconductor–metal (MSM) photoconductive detector was fabricated on c-axis preferred oriented ZnO film prepared on quartz by radio frequency magnetron sputtering. With the applie...