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中国科学院金属研究所专利：一种SiC纤维表面C/AlN复合梯度涂层制备方法
中国科学院金属研究所 专利 SiC纤维 表面 C/AlN 复合梯度涂层
2023/11/21
本发明涉及复合材料的制备技术,具体地说是一种连续SiC纤维表面C/AlN 复合梯度涂层的制备方法。按如下步骤操作：第一步,富碳涂层SiC纤维的制备； 第二步,将生产的SiC纤维缠绕在样品支架上,然后放入磁控溅射仪真空室内； 第三步,当真空室的真空度优于1.0×10-3Pa时,转动样品支架,对其进行加热、 保温；第四步,保温结束后,首先通入氩气,然后通入氮气,使气体充分混合； 第五步,启动射频反应溅...
中国科学院金属研究所专利：一种高强度、低热膨胀的AlN纳米线/Al复合材料
中国科学院金属研究所专利：一种耐高温AlN和Al2O3共增强的铝基复合材料及其制备方法
AlN的添加对Ti(C,N)基金属陶瓷自配副摩擦性能的影响
Ti(C,N)基金属陶瓷 AlN 自配副 干摩擦
2018/7/4
Ti(C,N)基金属陶瓷材料具有优良的耐磨耐蚀性能，被广泛应用于制造刀具、模具、轴承等各种耐磨零件，但Ti(C,N)基金属陶瓷做成的滑动轴承自配副在干式摩擦工况中却受到严重的摩擦磨损。为进一步提高Ti(C,N)基金属陶瓷材料的耐磨耐蚀性，采用粉末冶金的方法，制备不同AlN含量的Ti(C,N)基金属陶瓷，并对其抗弯强度、硬度、相对密度、磨损性能等力学性能进行测试，使用光学显微镜、扫描电镜、能谱仪对A...
注射成形AlN高导热陶瓷蜡基粘结剂
AlN 陶瓷粉末注射成形 粘结剂
2011/1/13
研究并开发了一种适合于AlN陶瓷注射成形的蜡基多聚合物粘结剂.通过理论计算分析了所用粘结剂组元的热力学相容性,利用毛细管流变仪测量了喂料的流变性能,通过热重分析方法研究了粘结剂的热分解行为,有效地指导了脱脂工艺的设计,并通过考察不同温度下的脱脂形貌研究了脱脂工艺的合理性.研究结果表明:当粉末装载量为61%时(体积分数),该粘结剂体系和粉末能够均匀、顺利地混合,喂料的流变因子范围为0.70~0.76...
以氮化铝、金属Mo 为原料，Y2O3为烧结助剂,氮气氛下、1800～1900℃热压烧结制备Mo/AlN 复相材料。利用 XRD、SEM对材料的相组成、显微结构进行表征，四探针法测试复相材料的电阻率，微带线法测试2～20 GHz频率范围内材料的微波衰减特性，探讨了渗流现象与衰减特性之间的内在联系。结果表明；当 Mo 添加量为4. 56 vol %～15. 03 vol %，材料呈现宽频衰减特性，且随...
Aluminium matrix composites reinforced with AlN particles formed by in situ reaction
Composites In situ reaction Aluminium nitride
2009/12/2
Purpose: Ultrafine reinforcement particles are formed as product of reaction between reactive components. Those
kinds of materials have good mechanical properties (higher yield stress and creep resis...
通过X射线衍射、扫描电镜和热物理性能测试，研究AlN引入量和温度对在900~1 000 ℃真空热压烧结制备的AlN/MAS玻璃陶瓷复合材料热物理性能的影响。研究结果表明：复合材料的热膨胀系数随着AlN引入量和测试温度的增加而增加；热导率随着AlN引入量的增加而增加；随着测试温度的升高，复合材料的热导率随着AlN引入量的变化呈现不同的特征；AlN引入量为20%(体积分数)时，样品的热导率随着测试温度...
高压烧结AlN陶瓷的微观结构和残余应力
无机非金属材料 AlN陶瓷 高压烧结
2009/2/19
在5.0 GPa、1300-1800℃条件下不使用烧结助剂高压烧结制备了AlN陶瓷,
研究了烧结温度和烧结时间对AlN高压烧结体微观结构和残余应力的影响. 结果表明:
高压烧结制备AlN陶瓷能有效地降低烧结温度和缩短烧结时间,
在5.0 GPa /1400℃/50 min条件下AlN烧结体表现出穿晶断裂模式;
将烧结温度提高到1800℃在AlN陶瓷中形成了单相多晶等轴晶粒组织;
在5.0...
反应热压法制备TiB2／AlN复合陶瓷
反应热压 硼化钛 氮化铝 复合陶瓷
2008/11/18
本文报道了以ＴｉＮ, Ａｌ和ＢＮ为原料通过反应热压法制备ＴｉＢ２／ＡｌＮ复合陶瓷实验结果, 对该反应的热力学过程, 产物的物相, 微观结构与形貌进行了研究与讨论, 结果表明, 原料在８００℃左右开始反应, 随着温度的升高反应越完全, １７００℃左右完全反应, 通过ＳＥＭ观察发现, 生成的ＴｉＢ２／ＡｌＮ复合陶瓷具有很高的致密度, 晶粒尺寸细小且分布均匀, 通过反应得到的ＡｌＮ晶粒具有大量的层状和孪...
球磨诱发AlN陶瓷微观结构的演变
球磨 A1N 微观结构演变
2008/10/22
通过球磨可以极大地细化AlN陶瓷的晶粒尺寸,透射电镜(TEM)观察的结果表明,经过40 h的球磨后,晶粒尺寸由原始的40 μm减小到30-200 nm.高分辨电镜(HREM)观察表明,球磨过程中在大晶粒内形成了高密度的位错和很高的微应变,晶粒细化过程是一个通过位错产生、运动和重排使大晶粒分解为亚晶粒的塑性变形过程.在晶粒细化的同时,在磨球的剧烈作用下,AlN颗粒表面层晶格发生严重畸变,甚至失去其固...
高温AlN模板上p型GaN的生长研究
高温AlN 渐变δ掺杂 均匀掺杂 金属有机物化学气相沉积 p型GaN
2008/10/14
利用低压金属有机物化学气相沉积技术，采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法，分别在氮化镓（GaN）和高温氮化铝（HT-AlN）模板上，生长了p型GaN外延材料. 生长后，双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明：HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN材料,具有最好的晶体质量和电学性能. 该p型GaN样品的（0002）面半峰宽值小至178" ，其空穴氧浓度为5.78e17cm-3. 在对Cp...
脉冲高能量密度等离子体表面改性AlN膜的形成和结构
脉冲高能量密度等离子体 立方AlN 六方AlN
2008/9/25
利用脉冲高能量密度等离子体(PHEDP)表面改性技术,在45号钢、γ不锈钢等试样上获得AlN膜.采用XRD,XPS和TEM等方法研究了改性膜的组织结构.研究表明,改性膜是由10 nm尺寸的AlN相组成,AlN相结构随基体的结构而异,在具有面心立方结构的基体上,形成具有面心立方结构的c-AlN相,而在体心立方的基体上形成六方h-AlN相.从热力学角度,讨论了PHEDP表面改性中AlN形成的特性.
采用水基料浆与流态化喷雾造粒相结合制备SiC-AlN复合粉体，分析复合粉体的粉体特性、成形性能及烧结特性，探讨SiC-AlN复相陶瓷的增强增韧机制。结果表明：喷雾造粒后，复合粉体的流动特性显著提高，粒度级配合理；随着压强增加，坯体密度在40~80、80~160和160~220 MPa范围内呈现阶梯式增长，160 MPa以上成形后素坯均匀致密，无硬球颗粒存在；无压烧结SiC-AlN复相陶瓷具有优越的...
Al合金等离子体基离子注入形成AlN/DLC层结构研究
铝合金 等离子体基离子注入
2008/3/9
用X射线光电子能谱(XPS)和小掠射角X射线衍射(GAXRD)研究了铝合金LY12等离子体基离子注入N+原位注入C形成AlN/DLC(类金刚石碳膜)改性层的成分分布及相结构,用激光Raman光谱分析了表面单一碳层的结构,对过渡层元素进行了Gaussian-Lorentzion峰位拟合分析.结果表明,N浓度在注入层呈Gauss分布,C浓度沿注入方向逐渐减小.C的注入使N分布有所拓宽.C在表面还能形成...