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中国科学院金属研究所专利：一种SiC纤维表面C/AlN复合梯度涂层制备方法
中国科学院金属研究所 专利 SiC纤维 表面 C/AlN 复合梯度涂层
2023/11/21
本发明涉及复合材料的制备技术,具体地说是一种连续SiC纤维表面C/AlN 复合梯度涂层的制备方法。按如下步骤操作：第一步,富碳涂层SiC纤维的制备； 第二步,将生产的SiC纤维缠绕在样品支架上,然后放入磁控溅射仪真空室内； 第三步,当真空室的真空度优于1.0×10-3Pa时,转动样品支架,对其进行加热、 保温；第四步,保温结束后,首先通入氩气,然后通入氮气,使气体充分混合； 第五步,启动射频反应溅...
中国科学院金属研究所专利：一种高强度、低热膨胀的AlN纳米线/Al复合材料
中国科学院金属研究所专利：一种催化剂"种子"法制备准一维掺杂AlN振列的方法
中国科学院金属研究所专利：一种耐高温AlN和Al2O3共增强的铝基复合材料及其制备方法
AlN的添加对Ti(C,N)基金属陶瓷自配副摩擦性能的影响
Ti(C,N)基金属陶瓷 AlN 自配副 干摩擦
2018/7/4
Ti(C,N)基金属陶瓷材料具有优良的耐磨耐蚀性能，被广泛应用于制造刀具、模具、轴承等各种耐磨零件，但Ti(C,N)基金属陶瓷做成的滑动轴承自配副在干式摩擦工况中却受到严重的摩擦磨损。为进一步提高Ti(C,N)基金属陶瓷材料的耐磨耐蚀性，采用粉末冶金的方法，制备不同AlN含量的Ti(C,N)基金属陶瓷，并对其抗弯强度、硬度、相对密度、磨损性能等力学性能进行测试，使用光学显微镜、扫描电镜、能谱仪对A...
PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响
氮化铝 等离子增强原子层沉积 生长速率 结晶化 表面粗糙度 沉积温度
2016/7/29
研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的AlN温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA,在300℃、350℃和370℃沉积温度下分别沉积了200、500、800、1 000、1 500周期的AlN层,并讨论了AlN薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明,在300~370℃范围内,随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加,而薄膜表面粗糙度减小。
在已知的压电材料中，AlN薄膜的声表面波传播速度是最快的。本设计采用硅基AlN薄膜作为压电材料，利用变迹加权的方法来优化设计IDT，改进型δ函数模型为椭圆形结构IDT的建模工具。通过建模仿真并根据仿真结果设计SAW带通滤波器版图，在实验室制作了中心频率为300MHz，带内插损11dB的SAW带通滤波器样品，测试结果表明其仿真结果与试验结果一致性较好，具有实际应用意义。
AlN纳米线高压相变的Raman光谱特征
AlN纳米线 结构相变 高压Raman光谱
2011/5/17
利用金刚石对顶砧(DAC)技术和显微Raman光谱原位测量技术，在0～33.1 GPa压力范围对AlN纳米线进行了高压相变研究。在24.4 GPa附近，A1(LO)振动模式呈现出较大的非对称性宽化的特征，表明发生了六角纤锌矿到立方岩盐矿的结构转变。岩盐矿结构AlN纳米线的无序声子散射导致了高压相的Raman散射信号。卸压后，高压相的Raman光谱特征被保留下来。根据纤锌矿结构AlN纳米线的振动模式...
直流磁控溅射制备ＡｌＮ 薄膜的结构和表面粗糙度
ＡｌＮ 薄膜 溅射气压 结构 表面粗糙度
2011/4/18
采用直流磁控反应溅射法，在Ｓｉ（１１１）基底上成功制备了多晶六方相ＡｌＮ 薄膜．研究了溅射过程中溅射气压对薄膜结构和表面粗糙度的影响．结果表明：当溅射气压低于０．６Ｐａ时，薄膜为非晶态，在傅里叶变换红外光谱中，没有明显的吸收峰；当溅射气压不低于０．６Ｐａ时，薄膜的Ｘ 射线衍射图中均出现了六方相的ＡｌＮ（１００）、（１１０）和弱的（００２）衍射峰，说明所制备的ＡｌＮ 薄膜为多晶态，在傅里叶变换红外光...
注射成形AlN高导热陶瓷蜡基粘结剂
AlN 陶瓷粉末注射成形 粘结剂
2011/1/13
研究并开发了一种适合于AlN陶瓷注射成形的蜡基多聚合物粘结剂.通过理论计算分析了所用粘结剂组元的热力学相容性,利用毛细管流变仪测量了喂料的流变性能,通过热重分析方法研究了粘结剂的热分解行为,有效地指导了脱脂工艺的设计,并通过考察不同温度下的脱脂形貌研究了脱脂工艺的合理性.研究结果表明:当粉末装载量为61%时(体积分数),该粘结剂体系和粉末能够均匀、顺利地混合,喂料的流变因子范围为0.70~0.76...
基于AlN膜钝化层VCSEL激光器热特性的研究
垂直腔面发射半导体激光器 AlN膜 SiO2膜 ANSYS
2011/4/19
用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和SiO2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布。经模拟得到基于AlN膜钝化层的VCSEL热阻为3.123℃/W，而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.377℃/W。经实验测得基于AlN膜钝化层的VCSEL热阻为3.54℃/W，而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.75℃/W，模拟结果...
以氮化铝、金属Mo 为原料，Y2O3为烧结助剂,氮气氛下、1800～1900℃热压烧结制备Mo/AlN 复相材料。利用 XRD、SEM对材料的相组成、显微结构进行表征，四探针法测试复相材料的电阻率，微带线法测试2～20 GHz频率范围内材料的微波衰减特性，探讨了渗流现象与衰减特性之间的内在联系。结果表明；当 Mo 添加量为4. 56 vol %～15. 03 vol %，材料呈现宽频衰减特性，且随...
Aluminium matrix composites reinforced with AlN particles formed by in situ reaction
Composites In situ reaction Aluminium nitride
2009/12/2
Purpose: Ultrafine reinforcement particles are formed as product of reaction between reactive components. Those
kinds of materials have good mechanical properties (higher yield stress and creep resis...
通过X射线衍射、扫描电镜和热物理性能测试，研究AlN引入量和温度对在900~1 000 ℃真空热压烧结制备的AlN/MAS玻璃陶瓷复合材料热物理性能的影响。研究结果表明：复合材料的热膨胀系数随着AlN引入量和测试温度的增加而增加；热导率随着AlN引入量的增加而增加；随着测试温度的升高，复合材料的热导率随着AlN引入量的变化呈现不同的特征；AlN引入量为20%(体积分数)时，样品的热导率随着测试温度...