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中国科学院金属研究所专利: 制备富含{001}/{010}/{101}晶面锐钛矿TiO2单晶的方法
中国科学院金属研究所 专利 {001} {010} {101} 晶面锐钛矿 TiO2单晶
2023/8/29
水合氢离子在伊利石(001)面和(010)面吸附的密度泛函研究
水合氢离子 伊利石 吸附 密度泛函
2018/12/25
水合氢离子在黏土矿物颗粒表面的吸附造成界面性质的变化,进而影响溶液中的金属离子吸附。为揭示水合氢离子在黏土矿物表面的吸附机理,采用密度泛函理论方法对水合氢离子(H3O+)在伊利石(001)面和(010)面上的吸附进行模拟计算。结果表明:吸附在(001)面硅氧环上方的水分子易获得质子,H3O+优先吸附于硅氧环空穴上方。(010)面的≡Al—OH易从H3O+获得质子,水分子与H3O+存...
纳米TiO2是一种典型的n型半导体材料,由于其本征态表面缺乏与目标分子相互作用的活性位点以及较差的导电性,从而表现出较差的电化学活性。近期,在前期晶面电分析化学研究的基础上,智能所黄行九课题组通过在TiO2表面掺杂氧空穴,发现了二氧化钛单晶纳米片(001)晶面上氧空穴协同的电化学催化行为,且该二氧化钛单晶纳米片(001)在重金属离子的检测过程中表现出较高的电化学检测活性;同时,课题组借助于XAFS...
采用一种全新的方法实现了无氟、在阳离子聚合物参与下合成具有丰富(001)面的锐钛矿TiO2晶体(TiO2-P),并通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、紫外-可见光谱等手段对样品进行了表征.光催化测试显示,该样品对甲基橙的降解具有比常规锐钛矿TiO2和商业P25更好的活性,这可归因于TiO2-P具有大量的暴露(001)晶面.
乙烷在V2O5(001)表面深度氧化反应机理的周期性密度泛函理论研究(图)
深度氧化 乙烷 氧化脱氢 周期密度泛函
2013/9/26
采用周期密度泛函理论研究了V2O5 (001)表面乙烷深度氧化过程.结果表明,乙醛是主要的副产物,且脱附态的乙醛能很容易被氧化成乙酸,但多数乙醛在从表面脱附前已被氧化成COx.显然,在乙烷氧化脱氢反应的最终产物COx主要来源于乙醛.
采用水热法制备了富含(001)晶面的锐钛矿型 TiO2 纳米片, 并通过改变热处理过程中NH3流速制备不同N掺杂浓度的TiO2纳米片.运用X 射线衍射、场发射扫描电镜、高分辨率透射电子显微镜、紫外-可见漫反射光谱、X射线光电子能谱和荧光光谱对光催化剂进行了结构和性能表征,并以罗丹明B为目标降解物,考察了N掺杂浓度对TiO2 纳米片可见光催化活性的影响.结果表明,NH3流速为 40 ml/min 时...
投资1.5亿元的001省道“板桥汽渡至刘村互通段”拓宽改造工程又有了新进展。从绕城公路的刘村转盘处下来,经过001省道到达板桥汽渡,这段公路全长5.53公里。这段公路的拓宽改造工程去年已启动。目前该工程已完成板桥河桥、高家沟桥、圩区新沟桥三座新建拓宽桥梁建设,以及板桥河至刘村段新建拓宽段,并已开放交通。现正在改造板桥河西侧至青年路段老路,后续将铺设沥青。
采用非水体系溶剂热法制备了(001)面暴露的锐钛矿相F/TiO2纳米光催化剂.结果表明,F的掺杂对TiO2纳米单晶的形成影响很大.一方面,F离子作为晶面导向剂稳定(001)晶面,形成(001)面暴露的锐钛矿相TiO2;另一方面,F离子也起到稳定剂作用,抑制纳米粒子的快速生长.以光催化降解甲基橙为模型反应比较了不同F/TiO2样品和商业P25样品的光催化活性.同时,通过选用不同捕获剂,研究了F/Ti...
暴露{001}面TiO2纳米片分等级花状结构的制备及其光催化活性(图)
二氧化钛 纳米片 {001}晶面 分等级花状二氧化钛超结构 光催化活性 丙酮 甲基橙
2013/10/13
以钛酸盐纳米管为前驱体,在HF-H2O-C2H5OH的混合溶液中,采用一种简单的醇热方法合成了具有87%暴露{001}面的TiO2纳米片自组装形成的分等级花状TiO2超结构.运用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和N2吸附-脱附等方法对样品进行了表征,并在紫外光照射下于空气和溶液中分别考察了其光催化降解丙酮和甲基橙反应活性.结果表明,这种分等级花状结构 TiO2的光催化活性比商业 P25 和在纯水中制...
为了保证有关国内一流大型仪器设备的实验教学质量,同时还能节省高校的实验耗费,在LabVIEW 8.2开发环境下,通过对反射式高能电子衍射仪(RHEED)原理、样品砷化镓GaAs(001)_β2(2×4)表面原子结构及相关固体物理学知识的深入探究,运用图形化编程语言,采用数据流编程方式,设计实现了理论情况下的GaAs(001)_β2(2×4)表面原子结构RHEED图谱。该阶段性成果使得虚拟RHEED...
MgB2(001)面超导结构的电子浓度第一原理分析
耐热镁合金 ZC62 ZC63 显微组织
2009/6/10
采用密度范函理论计算了金属化合物MgB2(001)薄膜结构的电子能带结构和状态密度,计算的交换相关能分别采用LDA和GGA。规范保守赝势的计算结果表明,晶格常数与实验值误差在很小的范围内,分析了引起MgB2(001)面结构超导转变时电子浓度和偏态密度的变化情况,发现构成该超导体结构的成键有3种,着重从结构的电子浓度变化分析了其超导特性,六角蜂窝状结构中硼原子间相互作用为sp2杂化的共价键,镁原子和...