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60Co辐照损伤对发光二极管性能影响的研究
发光二极管 界面态浓度 散射几率 电离辐照损伤
2010/9/27
随着航天技术的发展，低计量率电离辐照对电子器件的影响得到广泛关注。本文引入散射理论建立了发光二极管模型，并考虑低计量率电离辐照损伤影响，建立了器件材料散射因子与辐照损伤的关系模型。在输入电流宽范围变化的条件下，测量了器件在不同辐照条件下的电学特性，实验结果与理论模型符合良好。通过对测量结果和以上模型的分析，深入研究低剂量电离辐照损伤和发光二极管性能衰减的关系。证实由于复合中心上的电子浓度增加，导致...
60Ni(n,p)60Co反应截面测量
反应截面 60Co 60Ni(n,p)
2009/7/9
本文报告了En=13.6—14.8MeV中子能区用活化法以27Al(n,α)24Na截面为中子注量标准得的60Ni(n,p)60Co的反应截面.在En为 13.64,13.79,14.03,14.33,14.60,14.80MeV处的截面分别为184.4±12.2,178.8±10.5,171.4±10.3,161.9±9.6,157.0±9.3,147.5±8.9mb.在文章中还列举了所能收集的...
63Cu(n,α)60Co反应截面测量
反应截面 60Co 63Cu(n,α)
2009/7/9
本文报告了En=13.6—14.8MeV中子能区用活化法以27Al(n,α)24Na截面为中子注量标准得的63Cu(n,α)60Co的反应截面.在中子能量为13.64,13.79,14.03,14.33,14.60和14.80MeV的截面值分别为58.3±3.1,56.3±2.4,53.4±2.0,50.8±1.9,48.4±1.7和47.4±1.7mb.在文中还列举了一些作者的数据以作比较.中子...