搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 半导体技术”相关记录1079条 . 查询时间(2.05 秒)
中国科学院金属所在二维半导体的三维集成研究取得进展(图)
二维半导体 三维集成
2024/6/3
经过数十年发展,半导体工艺制程不断逼近亚纳米物理极限,传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路,从而获得三维集成技术的突破,是国际半导体领域积极探寻的新路径之一,多家半导体公司争相发布相关研究计划。
中国科学院上海微系统所等开发出可批量制造的新型光学“硅”与芯片技术(图)
光子芯片 集成电路 薄膜
2024/5/12
2024年5月8日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关研究成果以《可批量制造的钽酸锂集成光子芯片》(Lithium tantalate photonic integrated circuits for volume manufacturing)为题,发表在《自然》(Nature)上。
中国科学院国家纳米中心在利用电子顺磁共振技术测量分子构象方面取得进展(图)
纳米 测量 分子 半导体材料
2024/4/26
分子半导体材料具有超长的室温自旋寿命,在实现室温高效自旋输运和调控方面具有很大潜力,其结构多样性、可设计性以及丰富的光电特性为分子自旋电子学的发展提供了广阔空间。分子半导体材料化学结构与自旋输运性质之间的构效关系研究是开发高效自旋输运分子半导体材料以及构建高效自旋器件的重要基础,而电子顺磁共振技术在分子材料自旋寿命探测中的应用为该研究方向的发展提供了有效的测量手段。
《自然·通讯》报道南京工业大学王琳教授团队二维材料生长新进展
自然·通讯 王琳 二维材料
2024/4/16
中国科学院半导体所在自旋器件翻转新机制方面取得重要进展(图)
电子器件 磁场 拓扑
2024/4/22
自旋电子器件被认为是后摩尔时代存储和逻辑器件最有前景的解决方案之一。自旋电子学的核心是磁性比特的电流翻转。然而,经过二十年的科学探索,人们仍然无法定量甚至定性地理解面内电流翻转垂直磁矩的物理现象。例如,自旋器件的翻转电流大小及其对称性无法通过磁单畴旋转或磁畴壁解钉扎等现有理论模型解释,面内磁场通常导致无法理解的垂直磁矩翻转等。为此,中国科学院半导体研究所朱礼军研究员团队在Advanced Mate...
苏州纳米所梁伟团队合作在1μm外腔超窄线宽半导体激光研究领域取得进展(图)
梁伟 半导体激光 原子量子
2024/4/10
1μm波长的窄线宽激光在原子量子、引力探测和光钟等领域都有重要应用。梁伟团队和南京大学、华东师范大学合作,取得1μm窄线宽外腔半导体激光研究进展。本研究中,通过使用中空的高品质因子FP光腔和自注入锁定技术,实现了紧凑的1μm超窄线宽半导体激光,其洛伦兹线宽约41Hz,和稳频光梳拍频线宽为510.3Hz,1s频率稳定性达到10^-11,同时可通过PZT实现快速的数百MHz的频率调制。
中科院上海分院宁波材料所在非晶柔性微型电感器方面取得重要进展(图)
柔性 电感器 集成薄膜
2024/4/14
可穿戴设备、柔性显示屏以及便携式电子产品的快速发展,对柔性微型电子组件的需求日益增长。其中,高密度柔性微型电感器作为电力转换和信号处理的关键元件,在提升设备性能、降低能耗以及实现设备微型化方面发挥着至关重要的作用。为满足新一代柔性电子产品对柔韧性和可弯曲性的高要求,相关研究表明,可在柔性基板上集成薄膜电感器。但是这些线圈主要由非磁性材料组成,即使有磁性薄膜作为衬底,也会产生漏磁现象。这种漏磁会降低...
中国科学院合肥研究院等创制出套娃结构碳管阵列并构筑出小型化滤波电容器(图)
滤波电容器 集成电路 芯片
2024/3/15
2024年3月15日,中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员孟国文和韩方明团队,与美国特拉华大学教授魏秉庆合作,在前期基于结构一体化三维互连碳管网格膜的高性能滤波电容器的基础上,设计制备了类似“俄罗斯套娃”结构的多壳层同轴碳管的三维互连阵列,进而将其作为对称型双电层电容器的电极,构建了新型滤波超级电容器。类套娃结构的多壳层同轴碳管阵列在提高电极面积和比电容的同时,不影响电解液离子的传输速...
中国科学院金属所通过外延应变调控铁电极化 实现巨大隧穿电致电阻效应
铁电极化 器件结构 半导体电极材料
2024/3/15
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构。铁电隧道结利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应以获得不同电阻态,从而实现数据存储功能。由于铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构,铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点,近年来在信息存储领域备受关注。隧穿电致电阻 (或开关比)是衡量隧道结性能的核心指标。2005年,理论模型提出,隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强度等相...
中国科学院化学所在制备强荧光二维共轭聚合物半导体材料方面获进展
聚合物 半导体材料 光电性能
2024/3/15
二维共轭聚合物(2DCPs)是一类新型的半导体材料体系。2DCPs独特的拓展二维共轭结构,预示着优异的光电特性,在有机电子学领域颇具应用前景。然而,目前报道的多数2DCPs材料的光电性能相对较差,以及具有强荧光特性的二维共轭聚合物半导体方面的报道较少。该类材料荧光猝灭的原因是2DCPs体系中紧密的层间π-π堆叠使其能量耗散严重,导致其不发光或者荧光特性差。